СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК ТЕРМИНОВ И СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МНОГОУРОВНЕВОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ В ПРИБОРАХ КНИ КМОП ТЕХНОЛОГИИ.
1.1. Постановка задачи.
1.2. Технология кремний на изоляторе КНИ
1.2.1. Изготовление пластин КНИ
1.2.2. Особенности технологии 0,5 мкм КИИ КМОП технологической линии ИИСИ РАН
1.2.3. Основные топологические варианты реализации КНИ транзисторов
1.3. Изоляция элементов субмнкронных И1С
1.3.1. Диэлектрическая изоляция типа .
1.3.2. I Ii, диэлектрическая изоляция мелкими канавками.
1.4. Дозовыс эффекты.
1.4.1. Деградация подвижности и подпорогового размаха характеристики.
1.4.2. Сдвиг порогового напряжения.
1.4.3. Радиационноиндуцированные токи утечки
1.4.4. Влияние электрического поля в оксидах и геометрии канала на образование токов утечки
1.5. Разделение боковой и донной составляющей токов утечки.
1.5.1. Разработка тестовых структур и определение режимов измерения
1.5.2. Анализ ВАХ
1.6. Физическое моделирование раднациошюпнлуцпронлнных токов утечки.
1.7. Получение параметров для I моделирования токов утечки.
1.8. Схемотехническое .моделирование радиационноиндуцированных токов утечки на основе подсхем
1.9. Выводы.
ГЛАВА 2. КОНСТРУКТИВНОТОПОЛОГИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ ДЛЯ ИМС, ПРИМЕНЯЕМЫХ В УСЛОВИЯХ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
2.1. Постановка задачи.
2.2. Обзор методов борьбы с радиационноиндупироиапными токами утечки
2.2.1. Технологические .методы борьбы с токами утечки. Влияние разброса параметров техпроцесса
2.2.2. Топологические методы, используемые в обьмной КМОП технологии.
2.3. Особенности транзисторов с контактом к телу Л и типа
2.4. Математическая модель дли получения 5Р1СЕпарамегров транзисторов Л и Нтипов
2.4.1. Коррекция эффективной ширины канала Нтранзистора
2.4.2. Коррекция эффективной ширины канала Атранзистора
2.4.3. Получение ЭРЮЕпараметром, определяющих статические ВАХ А и Нтранзисторов
2.4.4. Получение 5Р1СЕпараметров, определяющих динамические характеристики А и Итранзисторов
2.5. Выводы
ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ КНИ КМОП ИМС К ДОЗОВЫМ ЭФФЕКТАМ.
3.1. Постановка задачи
3.2. Методика измерения порогового напряжения и крутизны
3.3. Испытания тестовых структур на дозовос воздействие.
3.4. Результаты испы таний транзисторов
3.4.1. Кольцевые транзисторы.
3.4.2. Транзисторы с плавающим телом Ртипа
3.4.3. Транзисторы Атипа
3.4.4. Транзисторы Нтипа
3.5. Обсуждение результатов испытаний.
3.6. Вы воды.а.
ГЛАВА 4. СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ В КНИ КМОП ИМС
4.1. Постановка задачи
4.2. Концепция многоуровневого моделирования
4.3. .Метод схемотехнического моделировании дозовых эффектов
4.4. Результаты моделирования
4.4.1. ОС анализ разброс значений порогового напряжения
4.4.2. ПС анализ источник опорного напряжения типа Вапсар.
4.4.3. Анализ во временной области кольцевые генераторы
4.4.4. АС анализ операционный усилитель
4.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922