Ви є тут

Исследование хемосорбционного взаимодействия при формировании приповерхностных легированных слоев в полупроводниках и пленок на их поверхности в технологических процессах диффузии и осаждения

Автор: 

Королев Алексей Николаевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

1998

Кількість сторінок: 

169

Артикул:

1000242007

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Рентгенодифракционное исследование приповерхностных слоев кремния и гетероструктур A III B V с градиентом деформации
• Разработка методов проектирования элементов МОЭМС, изготавливаемых по технологии поверхностной микрообработки
• Комплексные исследования электрофизических свойств термически окисленных слоев кремния в производстве полупроводниковых приборов с проектной нормой 0,5-0,8 мкм
• Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака
• Численное исследование коллективных процессов в микроэлектронных структурах и оптимизация приборов больших интегральных схем
• Разработка и исследование технологии получения лейкосапфира для электронной техники
• Объектно-ориентированное сканирование для зондовой микроскопии и нанотехнологии
• Неравновесная населенность мелких примесных состояний в полупроводниках и усиление излучения длинноволнового инфракрасного диапазона
• Структура и электронные характеристики пиролизованного полиакрилонитрила
• Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов