Ви є тут

Разработка и исследование конструкции и технологии высокоэффективных термоэлектрических устройств

Автор: 

Боженарь Дмитрий Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

155

Артикул:

1000294618

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Комплексные исследования электрофизических свойств термически окисленных слоев кремния в производстве полупроводниковых приборов с проектной нормой 0,5-0,8 мкм
• Физические свойства полупроводниковых пленок диоксида олова для датчиков газов
• Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs
• Взаимодействие света с магнитостатическими волнами в неоднородно намагниченных пленках железоиттриевого граната
• Разработка методов проектирования и моделирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур
• Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия
• Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования
• Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения
• Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов высокочастотных многофункциональных интегральных схем
• Исследование закономерностей структурного роста и люминесцентных свойств слоев пористого кремния