Содержание
ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
1 СОЗДАНИЕ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК ТИПА СУЛЬФИДА КАДМИЯ И ГЕТЕРОФАЗНЫХ ЛЕНГМЮРОВСКИХ МОНОСЛОЕВ В НАНО
И МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР.
1.1 Основные характеристики и методы повышения
ДЕГРАДАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА КАДМИЯ. 1
1.1.1 Параметры и характеристики фоточувствитепьной
поликристаллической пленки С4Б.
1.1.2 Процессы, происходящие под воздействием электронного и
светового облучения в полупроводниках типа Сс.
1.1.3 Методы повышения деградациоппой стойкости материалов
1.2 Пленки ЛенгмюраБлоджетт, структурированные
металлом получение и применение
1.2.1 Технология создания пленок ЛенгмюраБлоджетт и их
применение в современной электронике
1.2.2 Пленки ЛенгмюраБлоджетт жирных кислот и их солей.
1.3 Методы исследования структуры
фоточувствительная пленка сульфида кадмия ОРГАНИЧЕСКОЕ ПОКРЫТИЕ арахината свинца
1.3.1 Методы расчета и анализа параметров органического
покрытия по кА изотерме
1.3.2 Методика, основанная на динамическом рассеянии света, для
расчета гидродинамического размера субмикронных частиц
1.3.3 Методы сканирующей зондовой микроскопии для определения
топологии и локальных электрических характеристик пленок
1.3.4 Сканирующая электронная микроскопия и вторичноионная
массспектрометрия для определения состава структур.
1.4 Вывода к главе 1
2 ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ АРАХИНАТА СВИНЦА ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ СУЛЬФИДА КАДМИЯ.
2.1 Описание условий получения, реактивов, установки и
методов нанесения и контроля органических монослоев.
2.1.1 Используемые реактивы и типы подложек.
2.1.2 Варьирование параметров режима получения и переноса
органического покрытия
2.1.3 Методы исследования монослоев арахината свинца и пленок
сульфида кадмия.
2.2 Результаты исследования органических монослоев на
ОСНОВЕ АРАХИНАТА СВИНЦА.
2.2.1 Исследование процессов кластерообразования в органических пленках с помощью изотерм сжатия монослоя и методов сканирующей электронной микроскопии.
2.2.2 Зависимость процентного содержания ионов свинца в органическом покрытии от условий получения
2.2.3 Анализ процессов кластерообразования в органических пленках с помощью изотерм сжатия и вторичной ионной массспектрометрии.
2.2.4 Исследование металлических кластеров в монослое методом динамического рассеяния света.
2.2.5 Изменения морфологии полупроводниковой пленки Сс, модифицированной органическим покрытием
2.3 Выводы К ГЛАВЕ 2.
3 ЛОКАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ СТРУКТУРЫ СУЛЬФИДА КАДМИЯ, МОДИФИЦИРОВАННОЙ
ОРГАНИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ АРАХИНАТА СВИНЦА
3.1 Исследование изменения морфологии поверхности полупроводниковой пленки сульфида кадмия, модифицированной органическим металлоструктурированным
МОНОСЛОЕМ АРАХИНАТА СВИНЦА
3.1.1 Морфология поверхности подлоэсек, используемых в экспериментах, и монослойных покрытий арахииовой кислоты и арахината свинца
3.1.2 Морфология монослойных покрытий арахиновой кислоты и арахината свинца, нанесенных на СЖ
3.2 Исследование распределения электростатической силы взаимодействия зондобразец и поверхностного
ПОТЕНЦИАЛА ПЛЕНКИ СУЛЬФИДА КАДМИЯ, МОДИФИЦИРОВАННОЙ ОРГАНИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ АРАХИНАТА СВИНЦА.
3.2.1 Исследование изменения электрических свойств поверхности пленок арахиновой кислоты и арахината свинца, нанесенных на 1ТО.
3.2.2 Исследование изменения электрических свойств поверхности пленок арахиновой кислоты и арахината свинца, нанесенных на СЖ.
3.2.3 Анализ неоднородности распределения электростатических сил взаимодействия и поверхностного потенциала при модификации поверхности Сс органическим покрытием на основе арахината свинца
3.3 ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТУННЕЛЬНОГО
КОНТАКТА ЗОНД ПОВЕРХНОСТЬ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА КАДМИЯ, МОДИФИЦИРОВАННОЙ ПЛЕНКОЙ АРАХИНАТА СВИНЦА.
3.3.1 Вольтамперные характеристики пленок арахиновой кислоты и арахината свинца, нанесенных на Сс и 1ТО.
3.3.2 Спектральный анализ зависимостей туннельных токов от
напряжения для исследуемых структур.
3.4 Выводы к главе 3
4 ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ И ФОТОУТОМЛЯЕМОСТИ СТРУКТУРЫ ПЛЕНКА МОНОСЛОЙ АРАХИНАТА СВИНЦА
4.1 УСЛОВИЯ ПРОВЕДЕНИЯ ИСПЫТАНИЙ НА РАДИАЦИОННУЮ
СТОЙКОСТЬ И ФОТОУТОМЛЯЕМОСТЬ.
4.2 Исследование оптических характеристик структуры
ПЛЕНКА СУЛЬФИДА КАДМИЯ МОНОСЛОЙ АРАХИНАТА СВИНЦА.
4.3 Исследование радиационной стойкости и
ФОТОУТОМЛЯЕМОСТИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ структуры пленка СУЛЬФИДА КАДМИЯ МОНОСЛОЙ АРАХИНАТА СВИНЦА.
4.3.1 Люксамперные характеристики до и после воздействия
электронного облучения и длительного освещения белым светом.
4.3.2 Анализ изменений люксамперных характеристик после
воздействия электронным пучком и длительного освещения белым светом .
4.4 Модель деградационной стойкости
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ СУЛЬФИДА КАДМИЯ СО СВИНЦОВОСОДЕРЖАЩИМ ОРГАНИЧЕСКИМ МОНОСЛОЙНЫМ ПОКРЫТИЕМ
4.4.1 Оценка скорости радиационностимулированной диффузии
дефектов .
4.4.2 Оценка концентрации радиационных дефектов..
4.4.3 Оценка концентрации неравновесных носителей заряда,
возникающих при освещении.
4.4.4 Влияние потенциального рельефа структуры на повышение
радиационной стойкости
4.5 Выводы К ГЛАВЕ 4.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922