Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния

Введение.
Глава 1. Особенности формирования С приборов на основе рпнерехода методом ионной имплантации.
1.1 Биполярные приборы на карбиде кремния для мощной и высокотемпературной электроники.
1.2 Методы формирования биполярных приборов на карбиде кремния
1.3 Влияние режимов ионной имплантации на свойства и характеристики кристаллов карбида кремния.
1.4 Методы расчета распределения ионнолегированной, примеси в объеме кристалла
1.5 Омические контакты к карбиду кремния
1.5.1 Требования к контактам к карбиду кремния
1.5.2 Материал для формирования низкоомного контакта карбиду кремния.
1.5.3 Технологические маршруты формирования омических
контактов.
Выводы по главе 1.
Глава 2. Методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионнолегированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению
2.1 Исследование кристаллов.
2.1.1 Исследование концентрации носителей заряда
2.1.2 Определение кристаллографической плоскости
2.1.3 Исследование поверхности кристаллов методом АСМ
2.2 Анализ технологических режимов для формирования рпперехода на пластине п6Н81С методом ионной имплантации
2.3 Распределение ионнолегированной примеси и напряжение пробоя рпперехода.
2.4 Исследование технологических режимов для формирования дополнительно легированного приконтактного пслоя методом ионной
имплантации
Выводы по главе 2
Глава 3. Формирование и исследование диодных ионнолегированных структур на основе карбида кремния.
3.1 Исследование омических контактов к пбНБС
3.1.1 Методика исследования удельного переходного
сопротивления омических контактов
3.1.2 Расчет облученности подложек карбида кремния при термообработке.
3.1.3 Исследование удельного переходного сопротивления омических контактов
3.1.3.1 Омический контактИпбНБС
3.1.3.2 Охмический контакт МБпбШС
3.1.3.3 Омический контактМТп6Н8С.
3.2 Формирование диодных ион нолегированных структур.
3.3 Характеристики и свойства диодных ионнолегированных структур
3.3.1 Шероховатость имплантированной поверхности.
3.3.2 Характеристики границы контакта и имплантированной робласти
3.3.3 Электрофизические характеристики диодных ионнолегированных структур
3.3.3.1 Вольтамперные характеристики
3.3.3.2 Вольтфарадные характеристики
3.3.3.3 Переходные характеристики
3.3.4 Технологический процесс формирования диодных ионнолегированных структур.
Выводы по главе 3.
Глава 4. Физикотопологическая модель диодных ИЛ структур и анализ вольтамперных характерист ик
4.1 Разработка физикотопологической модели диодных ИЛ структур
на основе зонных энергетических диаграмм
4.1.1 Потенциальный барьер области ИрБЮ.
4.1.2 Потенциальный барьер рпперехода
4.1.3 Потенциальный барьер области пплспф.
4.1.4 Потенциальный барьер области пЛСП1рП
4.2 Вольтамперные характеристики диодных ИЛ структур.
4.2.1 Прямое смещение
4.2.2 Обратное смещение
4.3 Перспективы формирования высоковольтных приборов на основе
карбида кремния методом ионной имплантации.
Выводы по главе 4.
Заключение
Список использованных сокращений
Список литературы