Ви є тут

Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3 B5

Автор: 

Хренов Григорий Юрьевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

1999

Кількість сторінок: 

399

Артикул:

1000248811

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
• Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
• Коллективное поведение вихрей и когерентное излучение электромагнитных волн в джозефсоновских структурах
• Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
• Гетероэпитаксиальные планарные структуры из монокристаллического молибдена и ниобия и их электронно-транспортные свойства
• Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
• Комплексные исследования электрофизических свойств термически окисленных слоев кремния в производстве полупроводниковых приборов с проектной нормой 0,5-0,8 мкм
• Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов
• Влияние дефектов на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник
• Разработка методов построения и моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС