Влияние дефектов на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник

Введение.
1 Влияние дефектов, обусловленных электрически активными примесями и несовершенством кристаллического строения, на электрофизические свойства полупроводниковых структур.
1.1 Влияние глубоких уровней, обусловленных дефектами кристаллической решетки полупроводника, на свойства полупроводниковых структур.
1.2 Влияние особенностей распределений примесей на свойства полупроводниковых структур.
1.3 Анализ моделей, учитывающих влияние электрически активных примесей и их распределений на свойства полупроводниковых структур.
1.4 Выводы и постановка задачи исследования
2 Моделирование распределений потенциалов в областях пространственных зарядов полупроводниковых структур
2.1 Разработка модели для определения распределения потенциала в области пространственного заряда полупроводниковой структуры.
2.2 Исследование влияния глубоких энергетических уровней на распределение потенциала в структуре металлполупроводник
2.3 Исследование распределения потенциала в структуре металлдиэлектрикполупроводпик
2.4 Результаты моделирования и выводы.
3 Экспериментальное исследование влияния дефектов на электрофизические свойства полупроводниковых структур.
3.1 Методическое обеспечение автоматизированной системы диагностики полупроводниковых структур
3.2 Модернизация автоматизированной системы диагностики полупроводниковых структур
3.3 Результаты экспериментального исследования параметров глубоких энергетических уровней и плотности поверхностных состояний в МДПструктурах
3.4 Выводы
4 Применение разработанной модели и аппаратуры при прогнозировании электрофизических свойств и характеристик полупроводниковых приборов.
4.1 Прогнозирование электрофизических свойств и характеристик
транзистора с металлической базой.
4.2 Прогнозирование электрофизических свойств и характеристик
полупроводниковых приборов на основе МДПструктур.
4.3 Выводы
Заключение
Список использованных источников
Публикации по теме диссертационной работы.
Приложение А. Схема электрическая принципиальная устройства
определения температуры исследуемой полупроводниковой
структуры
Приложение Б. Схема электрическая принципиальная блока сопряжения и
контроля.
Приложение В. Акты о внедрении результатов диссертационной работы
Введение
Актуальность