ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ РАДИАЦИОННЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ.
1.1. Квантовые координатные детекторы.
1.1.1. Монолитные координатные детекторы
1.1.1.1. Стриповый полосковый детектор
1.1.1.2. Полупроводниковая дрейфовая камера
1.1.2. Квантовые пиксельные координатные детекторы.
1.1.2.1. Детекторы с внутренним усилением
1.2. Аналоговые детекторы
1.2.1. Структуры на аморфном кремнии.
1.2.2. Аналоговые детекторы на приборах с зарядовой связью.
1.2.3. Аналоговый детектор на основе КМОПФД 1.
1.2.4. Аналоговый детектор на основе БиМОПФД.
1.3. Квантовоцифровые пиксельные детекторы
1.3.1. Квантовоцифровые гибридные ппксельные детекторы
1.3.1.1. Гибридный детектор с чередующимися пикселями
1.3.1.2. Трехмерные квантовоцифровые пиксельные детекторы
1.3.2. Монолитные квантовоцифровые пиксельные детекторы.
1.3.2.1. Монолитные пиксели на обедненном кремнии
1.3.2.2. Монолитный КМОП пиксельный детестор
1.3.2.3. Монолитный квантовоцифровой КНИ детектор.
1.3.2.4. Монолитный квантовоцифровой пиксельный детектор
на аморфном кремнии
1.3.2.5. Монолитный квантовоцифровой пиксельный детектор
на ОЕРБЕТструктуре
Выводы по главе 1
Глава 2. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ И ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ПИКСЕЛЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ И ИХ КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ.
2.1. Физические модели взаимодействия радиационных частиц
с кремнием
2.1.1. Взаимодействие ачастиц с кремнием.
2.1.2. Взаимодействие электронов и позитронов с кремнием
2.1.3. Взаимодействие рентгеновского и уизлучений с кремнием.
2.2. Физическая модель ионизационных процессов в пикселях полупроводниковых детекторов
2.3. Физические особенности работы функциональноинтегрированных пикселей для детекторов квантового, аналогового и цифрового типов.
2.4. Компьютерное моделирование динамики работы БиМОП пиксели
Выводы по главе 2.
Глава 3. КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СБИС КПКД
3.1. Компьютерное моделирование диффузионных профилей пиксельных струкгур.
3.2. Технологический маршрут изготовления матриц квантовых координатных детекторов.
3.3. Технологические маршруты изготовления кристаллов чипов детектора СБИС
3.4. Описание топологии СБИС КПКД.
3.5. Конструкции детекторов для медицинского п промышленного
назначения.
Выводы по главе 3
Глава 4. АРХИТЕКТУРА И СХЕМОТЕХНИКА ПИКСЕЛЬНЫХ ДЕТЕКТОРОВ РАДИАЦИОННЫХ ЧАСТИЦ И ИЗЛУЧЕНИЙ.Т
4.1. Архитектура и схемотехника квантового координатного детектора
4.2. Архитектура и схемотехника аналогового детектора
4.3. Архитектура и схемотехника квантовоцифрового детектора.
4.4. Электрическая принципиальная схема квантового пиксельного координатного детектора. Описание и принцип работы
4.5. Быстродействие, временное разрешение полупроводниковых детекторов
4.5.1. Быстродействие, временное разрешение квантового координатного детектора.
4.5.2. Быстродействие, временное разрешение аналогового детектора.
4.5.3. Быстродействие, временное разрешение квантовоцифрового детектора.
Выводы по главе 4.
Глава 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ.
5.1. Методики измерения основных характеристик детекторов.
5.1.1. Методика измерений статических характеристик.
5.1.2. Напряжение обеднения и токи утечки при рабочем напряжении.
5.1.3. Время сбора ионизационного заряда и быстродействие.
5.2. Результаты измерений статических характеристик.
5.2.1. Коэффициент внутреннего усиления.
5.2.2. Оценка влияния постоянного тока утечки коллектора на усиление сигналов в биполярных пикселях детектора.
5.3. Экспериментальные результаты по детектированию радиационных частиц
5.3.1. Детектирование ачастиц
5.3.2. Детектирование частиц
5.3.3. Детектирование участиц
5.4. Исследование радиационной стойкости КПКД к потоку электронов.
5.5. Двухкоординатная матрица.
Выводы по главе 5.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922