СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1.
ГЛАВА 2.
ГЛАВА 3.
ГЛАВА 4.
Рост напряженных БЮсЭДОО гетерострукгур
1.1 Введение
1.2 Теоретические модели перехода от двумерного к
трехмерному росту
1.3 Формирование напряженных Се1
гетсроструктур
Особенности перехода от двумерного к трехмерному
росту пленки вс в 8Юе1 гетероструктурах с напряженными планарными подслоями
2.1. Методика эксперимента
2.2. Критическая толщина перехода по Странскому
Крастанову при росте вс на напряженном 8 Юс слое
2.3. Критерий перехода от двумерного к трехмерному росту в
структурах с напряженными БЮс подслоями
Особенности перехода от двумерного к трехмерному
росту в многослойных БЮе гстсроструктурах с наноостровками
3.1. Методика эксперимента
3.2. Особенности формирования смачивающего слоя ве и
нуклеации островков в многослойных структурах с Ое наноостровками
3.3 Модель образования Осф островков в верхних слоях
многослойных структур
3.4 Особенности образования Ое островков в
многослойных структурах при использовании различных температур роста слоев с островками
Метод селективного легирования Б1 и БЮе
гетероструктур сегрегирующими примесями
4.1 Сегрегация донорных примесей в процессе МПЭ и
методы е подавления обзор литературы
4.2 Описание предлагаемого метода селективного
легирования полупроводниковых структур
сегрегирующими примесями
4.3 Методика эксперимента
4.4 Экспериментальная реализация предлагаемого метода 3 селективного легирования Б и вЮе эпитаксиальных структур
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список цитированной литературы
- Київ+380960830922