- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2002
Кількість сторінок:
95
Артикул:
233146 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ)
- Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии
- Исследование возможности создания мозаичных фотоприемников без потерь информации в изображении
- Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля
- Термическое окисление монокристаллов карбида кремния политипа 6Н
- Влияние структурных превращений на электрофизические свойства стекол электронной техники С87-2, С78-4, С78-5
- Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления силовых интегральных микросхем на основе КМОП транзисторов
- Разработка и исследование технологии формирования наноструктур на основе нитридов элементов III группы
- Развитие и применение методов сканирующей зондовой микроскопии для исследования свойств точечных контактов
- Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5