Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Обзор литераторы.
1.1. О проблеме создания оптоэлектронных устройств
на базе кремния.
1.2. Квантовые точки и их свойства.
1.3. Свойства полупроводниковых нанокристаллических включений в матрице двуокиси кремния и аморфного кремния.
1.3.1. Введение
1.3.2. Нан о кристаллы и Ое в , полученные без применения ионной имплантации.
1.3.3. Нанокристаллы 5 и Ое в , полученные методом ионной имплантации
1.3.4. Влияние легирующих примесей на люминесценцию, связанную с нанокристаллами в матрице двуокиси кремния
1.3.5. Нанокрисгаллы в матрице а.
1.3.6. Нанокристаллы АзВ и А2В6 в 8Юг.
1.4. Оптические и люминесцентные свойства двуокиси
кремния.
1.5. Люминесцентные свойства аморфного кремния
1.6. Формулировка задач исследований.
ГЛАВА 2. Исследование люминесцентных свойств двуокиси кремния с нановюночениями кремния 0
2.1. Мегодика эксперимента.
2.1.1. Подготовка образцов.
2.1.2. Методика исследования свойств экспериментальных образцов
2.2. Закономерности влияния режимов ионной имплан
тации на фотолюминесценцию системы 8Ю23 на подложке кремния
2.3. Теоретический анализ процесса формирования на
новключений 5 в вЮ2 при ионной имплантации.
2.4. Выводы
ГЛАВА 3. Исследование влияния легирования мелкими примесями
на люминесцентные свойства двуокиси кремния с нановключениями кремния ЮЗ
3.1. Мет одика эксперимента
3.2. Влияние легирования мелкими примесями на люминесцентные свойства системы ЗЮ2 .
3.3. Теоретический анализ влияния легирования на
новключений донорной примесью
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. Свойства системы а8гпс, полученной методом ионной имплантации тяжелых ионов в кристаллический
кремний
4.1. Компьютерное моделирование процесса формирования системы а7.т.
4.2. Методика эксперимента.
4.3. Фотолюминесценция системы аЗг.пс
4.4. Исследование эволюции системы а8г.с методом
4.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922