СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава 1. Нанесение прозрачных проводящих оксидов методом магнетронного распыления техника и технология
1.1. Магнеронные распылительные системы
1.1.1. Цилиндрические коаксиальные магнетронные системы
1.1.2. Магнегронные системы с плоским катодом
1.1.3. со сбалансированным магнитным полем.
1.1.4. с несбалансированным магнитным полем
1.1.4.1. Несбалансированные с вертикальной составляющей магнитного поля, направленной к подложке 2й тип несбалансированной конфигурации магнитного поля
1.1.4.2. Несбалансированные с рассеиванием магнитного поля в сторону от подложки 1й тип несбалансированной конфигурации магнитного поля
1.1.4.3. Несбалансированные с двумя магнетронами.
1.1.5. с устройствами для дополнительной ионизации газа
1.1.6. с имиульешлм питанием.
1.1.6.1. с биполярным питанием.
1.1.6.2. Дуальное магне гронное распыление.
1.1.6.3. с дополнительным анодом.
1.1.7. Сильноточные
1.2. Характеристики магнетронного разряда и их влияние на параметры наносимых покрытий
1.3. Нанесение прозрачных проводящих оксидов методом магнетронного распыления связь между параметрами напыления и электрофизическими свойствами.
1.3.1. Влияние энергетического воздействия на свойства ТСО покрытий
1.3.2. Свойства пленок прозрачных проводящих оксидов.
1.3.2.1. Элекгофизические свойства.
1.3.2.2. Сгруктурные и механические свойства
1.4. Вакуумные технологические установки для нанесения покрытий.
1.4.1. Установки периодического действия.
1.4.2. Установки полунепрерывного действия
1.4.3. Установки непрерывного действия
1.4.4 Современные технологические установки для нанесения покрытий с интеллектуальной системой управления
Выводы к главе 1.
Глава 2. Экспериментальное оборудование
2.1. Экспериментальная установка для вакуумного ионноплазменного нанесения тонких пленок.
2.1.1. Магнетронная распылительная система с электромагнитной катушкой
2.1.2. Импульсный униполярный источник питания магнетрона.
2.1.3. Магнетронная распылительная система с цилиндрическим вращающимся катодом
2.1.4. Биполярный импульсный источник питания магнет рона.
2.2. Измерительное и аналитическое оборудование. Методики исследования
характеристик разработанных устройств, параметров образующейся плазмы, а также
свойств получаемых покрытий
2.2.1. Измерительное и аналитическое оборудование.
2.2.2. Методика определения плотности ионного тока
2.2.3. Методика определения потенциала плазмы.
2.2.4. Методика определения потока ионов
2.2.5. Методика измерения распределения ионов по энергиям.
2.2.6. Методика измерения распределения параметров пленок но поверхности подложек.
2.2.7. Методика измерения электрофизических характеристик пленок
2.2.8. Методика исследования структурных свойств пленок.
Глава 3. Исследование несбалансированной распылительной системы с регулируемой степенью несбалансированности
3.1. Распределение магнитного поля.
3.2. Вольтамперные характеристики магнетронного разряда
3.3. Распределение параметров плазмы в газоразрядном промежутке
3.4. Массзарядовый состав и распределение ионов по энергиям в плазме
Выводы к главе 3.
Глава 4. Нанесение прозрачных проводящих покрытий на основе легированного оксида цинка методом магнетронного распыления.
4.1. Нанесение пленок легированного алюминием оксида цинка методом реактивного магнетронного распыления ХпА1 мишени
4.1.1. Нанесение 7.пОА1 покрытия с помощью питания постоянного тока
4.1.2. Нанесение 7пОА1 покрытия с помощью импульсного биполярного
питания.
4.2. Нанесение пленок легированного галлием оксида цинка с использованием
несбалансированной магнетронной распылительной системы
Выводы к главе 4.
Глава 5. Автоматизированная вакуумная установка для ионноплазменного нанесения гонкопленочных покрытий
5.1. Вакуумная камера с технологическими источниками.
5.2. Вакуумная система и измерение вакуума.
5.3. Системы охлаждения и газораспределения
5.4. Источники питания.
5.5. Управление и автоматизация установки
5.6. Осаждение покрытий ХпОЮа на автоматизированной вакуумной напылительной
установке
Выводы к главе 5.
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922