Оглавление
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. Новые транзисторные структуры и материалы для них. 1
1.1. Диэлектрические материалы для затворных структур
1.1.1. Общий обзор диэлектрических материалов
1.1.2. Диэлектрические материалы на основе циркония и гафния.
1.1.3. Слои гЮ2 и НЮ2, сформированные методом послойного осаждения из газовой фазы.
1.1.4. Слои ЪхОг и НЮ2, сформированные физическими методами осаждения.
1.2. Материалы для электрода затвора.
1.2.1. Общий обзор материалов для электрода затвора
1.2.2. Затворные структуры с ПБь, Со5ь и 1.
1.3. Формирование элементов транзисторов с помощью фазового расслоения
1.4. Анализ транзисторных структур.
1.4.1. Транзисторы с горизонтальным расположением канала.
1.4.1.1. КИИ транзисторы
1.4.1.2. Двухзатворные транзисторы
1.4.1.3. Транзисторы на узких балках ИпРЕТ
1.4.1.4. Транзисторы с переменной глубиной переходов
1.4.2. Транзисторы с вертикальным расположением канала.
Выводы.
Глава 2. Формирование затворных структур и методы их исследования
2.1. Формирование затворных структур.
2.1.1. Формирование затворных структур МеНЮ2 и МегЮ2 методом электроннолучевого испарения.
2.1.2. Формирование затворных структур для исследования процесса твердофазной диффузии в системе СоП.СоТ15Ю2.
2.2. Методы исследования структур
2.2.1. Методы вольтфарадных и вольтамперных характеристик V и IVмстрии
2.2.2. Резерфордовскос обратное рассеяние.
2.2.3. Просвечивающая электронная микроскопия ПЭМ.
2.2.4. Вторичная ионная массспектрометрия ВИМС с времяпролетным массанализатором
Глава 3. Свойства затворных структур, сформированных методом электроннолучевого испарения
3.1. Влияние режима обработки подложек на свойства МОП структур
3.2. Электрофизические свойства затворных структур на основе и НЮ2
3.3. Диэлектрическая проницаемость и влияние материала элекчрода на свойства затворных структур
3.4. Образование переходного слоя ix и структура пленок, при формировании с помощью электроннолучевого испарения.
3.5. Токи утечки и плотность зарядовых состояний на границе диэлектрикполупроводник в затворных структурах i и
i.
Выводы.
Глава 4. Формирование затворных структур iiiViVi методом твердофазной диффузии
4.1. Физическая модель процесса твердофазной диффузии в системе Соi .0ii2i.
4.1.1. Диффузия в металлических пленках, кремнии и оксидах
4.1.2. Химические реакции и начальные концентрации
4.2. Результаты моделирования процесса твердофазной диффузии в системе ii .iii
4.3. Результаты эксперимента по твердофазной диффузии в системе ii .iii
Глава 5. Вертикальный транзистор с управляемой глубиной переходов.
5.1. Структура и принцип работы прибора.
5.2. Динамические параметры прибора.
5.3. Маршрут изготовления транзистора.
5.4. Физическая модель прибора
5.4.1. Модели транспорта..
5.4.2. Эффективные массы носителей и температурные зависимости ширины запрещенной зоны и подвижности
5.5. Результаты моделирования вертикального транзистора с управляемой глубиной переходов.
5.5.1 Результаты, полученные с помощью обычных моделей транспорта носителей заряда.
5.5.2. Результаты, полученные с помощью метода МонтеКарло
Выводы.
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922