Оглавление
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ.
Актуальность проблемы.
Цель работы.
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1. i диэлектрики в КМОПтсхиологиях.
... i диэлектрики в устройствах памяти.
1.2. Металлические затворы в КМОПтехнологиях
1.2.1. Пиннинг уровня Ферми на границе раздела металлдиэлектрик.
1.3. Кислородные вакансии в i диэлектриках
1.3.1. Влияние кислородных вакансий на электрофизические параметры МДТ1
с тру к тур
ГЛАВА 2. ОБЗОР МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА МДПСТРУКТУ Р.
2.1. Методы роста наноразмерных МДПструктур.
2.1.1. Метод импульсного лазерного осаждения.
2.1.2. Метод атомного послойного осаэсдения.
2.2. Методы исследования наноразмерных МДПструктур
2.2.1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
2.2.2. Высокоэнергитичная фотоэлектронная спектроскопия ВэРФЭС
2.2.3. Резерфордовское обратное рассеяние
2.2.4. Метод вольтфарадных характеристик
2.3. Исследовательские комплексы.
2.3.1. Исследовательский комплекс ИЛОРФЭССРМИ X 0.
2.3.2. Исследовательский комтекс ВФХ.
2.3.3. Исследовательский ВэРФЭС
ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ
3.1. Исследования электрофизических свойств МДПструктур на основе 1.аАЮч
3.2. Разработка методики измерения зонной структуры с помощью РФЭС.
3.2.1. Принципы измерения эффективной работы выхода электрона с помощью РФЭС
3.2.2. Принципы измерения эффективной работы выхода электрона на наиоразмерных МДПструктурах.
3.3. Исследование образования кислородных вакансий в МДИструктурах МеНЮгБ
3.3.1. МДПструктура на основе АиОБ.
3.3.2. МДПструктура на основе ИНОБ
3.3.3. МДПструктура А иЬаА 1 ОуБ
3.4. Изучение подвижности кислородных вакансий в пленках НЮг
3.4.1. МДПструктура АиНОуБ.
3.4.2. МДПструктура РЛОБ.
3.5. Изучение влияния прослойки вс на электрофизические свойства границы раздела РеЛ
ВЫВОДЫ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Киев+380960830922