ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1. Физичсскан модель
1.2. Аппроксимации формы эмиттера
1.3. Методы расчта потенциала.
1.3.1. Постановка задачи.
1.3.2. Математические методы расчта потенциала
1.3.3. Физические методы расчта потенциала
1.3.4. Выводы
1.4. Методы расчта электронных траекторий.
1.5. Выводы
1.6. Постановка задачи.
ГЛАВА 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОТЕНЦИАЛА МЕЖДУ ЭЛЕКТРОДАМИ.
2.1. Проведение оценки плотности объмного заряда
2.2. Моделирование потенциала для различных аппроксимаций
конфигурации системы.
2.2.1. Расчт потенциала в ортогональной системе координат.
2.2.2. Аппроксимации эмиттера гиперболоидом вращения.
2.2.3. Аппроксимация эмиттера параболоидом вращения
2.3. Выводы
ГЛАВА 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОТЕНЦИАЛА, СОЗДАВАЕМОГО СИЛАМИ ЗЕРКАЛЬНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ
3.1. Постановка задачи.
3.2. Построение двумерной математической модели
3.2.1. Построение кривой зеркального изображения методами
теории исключений
3.2.2. Кривая зеркального изображения.
3.2.3. Метод кривой зеркального изображения.
3.3. Построение трхмерной математической модели
3.3.1. Построение поверхности зеркального изображения методами
аналитической геометрии.
3.3.2. Поверхность зеркального изображения
3.3.3. Метод поверхности зеркального изображения
3.4. Проверка метода на примере сферической модели острия
3.5. Применение метода для конфигурации сканирующего туннельного микроскопа.
3.6. Применение метода для конфигурации классического нолевого диода.
3.7. Выводы.
ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ТРАЕКТОРИЙ.
4.1. Расчт траекторий точечных зарядов дли конфигурации сканирующего туннельного микроскопа
4.2. Расчт устойчивости электронных траекторий при вариациях граничных условий дли конфигурации электроннооптической системы.
4.3. Расчет траекторий электронов с учетом сил зеркального изображении
4.4. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Киев+380960830922