- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-Ge та n-Si
Тип работы:
Дис. канд. наук
Год:
2005
Артикул:
0405U001195 129 грн
Рекомендуемые диссертации
- Електрони в ієрархічних напівпровідникових гетероструктурах
- Стохастичний режим модульованої структури в неспівмірній фазі кристалів N(CH3)4]2MeCl4 (Me = Cu, Zn, Fe).
- Доменна структура та азові перетворення у халькогенідних сегнетоелектриках-напівпровідниках та сегнетоеластиках
- Вплив розмірних обмежень на нерівноважні процеси в фотоелектричних перетворювачах
- Спектроскопічна діагностика формування напівпровідникових нанокристалів типу А2В6 у діелектричних матрицях
- Коливні спектри стекол As(Ge)xS100-x при варіації енергії збуджуючих фотонів та першопринципні розрахунки властивостей кластерів As(Ge)nSm
- Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6
- Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів
- Спектри та взаємодія квазічастинок у комбінованих наносистемах аксіальної симетрії
- Ефективність фотоелектричного перетворення в тонкоплівкових сонячних елементах та Х-променевих детекторах на основі CdTe