Ефективність фотоелектричного перетворення в тонкоплівкових сонячних елементах та Х-променевих детекторах на основі CdTe

ЗМІСТ
Перелік основних умовних позначень та скорочень
ВСТУП
Розділ 1. ТОНКОПЛІВКОВИЙ CdTe – ПЕРСПЕКТИВНИЙ
ЕЛЕМЕНТ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
1.1. Типи напівпровідникових сонячних елементів
1.2. Структура й технологія виготовлення CdS/CdTe сонячних елементів і модулів
1.3. Сучасний стан фізики й технології тонкоплівкових CdTe сонячних елементів
1.3.1. Внесок тонкоплівкових CdTe елементів у сонячну
енергетику
1.3.2. Рівень теоретичних розробок CdTe сонячних
елементів
1.4. Тонкий напівпровідниковий шар – ключовий елемент
детектора з прямим перетворенням рентгенівського
зображення в масив електричних сигналів
Висновки до першого
розділу
Розділ 2. СПЕКТРАЛЬНИЙ РОЗПОДІЛ ФОТОЕЛЕКТРИЧНОЇ ЕФЕКТИВНОСТІ ТОНКОПЛІВКОВИХ
CdS/CdTe
СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ
2.1. Експериментальна частина
2.2. Ширина області просторового заряду. Енергетична
діаграма тонкоплівкової CdS/CdTe гетероструктури
2.3. Спектральний розподіл фотоелектричної ефективності
2.4. Рекомбінаційні втрати в області просторового заряду
Висновки до другого
розділу
Розділ 3. СТРУМ КОРОТКОГО ЗАМИКАННЯ
В ТОНКОПЛІВКОВІЙ CdS/CdTe ГЕТЕРОСТРУКТУРІ
3.1. Дрейфова компонента струму короткого замикання
3.2. Дифузійна компонента струму короткого замикання
3.3. Густина повного струму короткого замикання
3.4. Вплив оптичних втрат на струм короткого замикання
3.4.1. Втрати зумовлені відбиванням
3.4.2. Абсорбційні втрати
3.4.3. Вплив оптичних втрат на струм короткого замикання
Висновки до третього
розділу
Розділ 4. НАПРУГА ХОЛОСТОГО ХОДУ, ФАКТОР ЗАПОВНЕННЯ І КОЕФІЦІЄНТ КОРИСНОЇ ДІЇ
CdS/CdTe СОНЯЧНОГО ЕЛЕМЕНТА
4.1. Вольт-амперна характеристика CdS/CdTe гетероструктури
4.2. Струм неосновних носіїв в CdS/CdTe гетероструктурі
4.3. Зіставлення з експериментальними даними
4.4. Результати розрахунку напруги холостого ходу, фактора
заповнення і коефіцієнта корисної дії
4.5. Температурні залежності параметрів
CdS/CdTe гетероструктури
Висновки до четвертого
розділу
Розділ 5. МОЖЛИВОСТІ ЗАСТОСУВАГННЯ ТОНКОПЛІВКОВОГО CdTe З БАР‘ЄРОМ ШОТТКІ В
РЕНТГЕНІВСЬКИХ ДЕТЕКТОРАХ ЗОБРАЖЕННЯ
5.1. Порівняльна характеристика a-Se і CdTe як чутливих
матеріалів
5.2. Електричні властивості фотопровідного шару CdTe
з контактом Шотткі
5. Ефективність збирання заряду в детекторі з діодом Шотткі
5.4. Спектральний розподіл ефективності детектування
в тонкоплівковому CdTe діоді Шотткі
Висновки до п’ятого
розділу
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА Висновки
СПИСОК