СОДЕРЖАНИЕ
РАЗДЕЛ 1.
1.1.
1.1.1.
1.1.2.
1.1.3.
1.1.4.
1.1.5.
1.1.
1.2.
1.2.1.
1.2.2.
1.2.3.
1.2.4.
1.2.5.
1.3.
1.4.
1.4.1.
1.4.2.
1.4.3.
1.4.3.1.
1.4.3.2.
1.5.
1.6.
1.6.1.
1.6.1.1.
1.6.1.2.
1.6.2.
1.6.3.
1.6.4.
1.7.
РАЗДЕЛ 2.
2.1.
2.1.1.
2.1.2.
2.2.
2.2.1.
2.2.2.
2.2.3.
2.3.
2.4.
2.4.1.
2.4.2.
2.4.2.1.
2.4.2.2.
2.4.2.3.
2.4.3.
2.4.4.
2.4.5.
2.4.6.
2.4.7.
2.5.
РАЗДЕЛ 3.
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.5.1.
3.5.2.
3.5.3.
3.6.
3.6.1.
3.6.2.
3.6.3.
3.7.
РАЗДЕЛ 4.
4.1.
4.2.
4.3.
4.4.
4.5.
4.6.
4.7.
РАЗДЕЛ 5.
5.1.
5.2.
5.2.1.
5.2.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
РАЗДЕЛ 6.
6.1.
6.2.
6.3.
6.4.
6.5.
6.5.1.
6.5.2.
6.5.3.
6.6.
6.6.1.
6.6.1.1.
6.6.1.2.
6.6.1.3.
6.6.2.
6.7.
РАЗДЕЛ 7.
7.1.
7.2.
7.3.
7.4.
7.5.
7.6.
7.7.
РАЗДЕЛ 8.
8.1.
8.1.1.
8.1.2.
8.2.
8.2.1.
8.2.2.
8.3.
8.4.ВВЕДЕНИЕ
ПРОЦЕССЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИОННЫХ ПУЧКОВ
И ПЛАЗМЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА
(ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).
Поведение гелия в конструкционных материалах.
Источники наработки гелия
Поведение одиночных атомов и кластеров гелия
Кинетика развития гелиевой пористости.
Эволюция профилей распределения гелия.
Влияние гелия на механические свойства.
Общие закономерности в поведении гелия
Поведение водорода в конструкционных сталях.
Общие установленные закономерности
Влияние процессов поверхностной рекомбинации
Влияние радиационных дефектов на удержание водорода
Модели расчета спектров термодесорбции.
Влияние водорода на механические свойства.
Влияние совместного облучения ионами гелия и водорода.
Процессы, происходящие в твердых телах при торможении
заряженной частицы
Профили распределения пробегов. Сравнение с теорией
Эффект каналирования
Эволюция профилей распределения гелия и водорода
в материалах в процессе облучения и отжига
Дозовая зависимость.
Температурная зависимость
Развитие структуры поверхности при больших дозах гелия.
Зависимость профилей залегания водорода от дозы,
температур облучения и отжига
Определение концентрации имплантированного водорода
Нержавеющая сталь.
Цирконий
Влияние температуры облучения на удержание дейтерия.
Распределение гелия и дейтерия при одновременном внедрении
Влияние выделений на захват дейтерия.
Выводы
МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ ПОВРЕЖДАЕМОСТИ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ
Материалы и приготовление образцов
Состав исследованных материалов
Методика получения тонких фольг вольфрама.
Модернизированный и усовершенствованный компактный электростатический ускоритель на МэВ.
Источник напряжения
Ленточный транспортер зарядов.
Ионный источник.
Измерительный комплекс "ЭСУ-".
Методики облучения и измерения радиационной
повреждаемости твердых тел
Методика облучения
Метод ядерных реакций.
Рассеяние вперед
Ядерная реакция в геометрии обратного рассеяния.
Программа "Helen"
Методика измерений методом каналирования
Сочетание методов обратного рассеяния просвечивающей электронной микроскопии.
Метод термоактивированной десорбции.
Методы структурного анализа.
Методика исследований с помощью автоионного микроскопа.
Выводы
ПРОФИЛИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ГЕЛИЯ, КРИПТОНА И КСЕНОНА, КОНФИГУРАЦИИ ДЕФЕКТОВ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЯДЕР ОТДАЧИ.
Автоионно-микроскопическое исследование захвата междоузельных атомов примесями в вольфраме.
Автоионно-микроскопическое изучение распределения вакансий в микрокристаллах вольфрама
Определение энергии образования межузельных атомов
Автоионно-микроскопическое исследование поверхности вольфрама, облученного ионами гелия.
Профили распределения внедренных частиц.
Проективные пробеги и их разброс для ионов гелия
с энергией 0. ? 1. МэВ.
Профили гелия, внедренного до концентраций ~ appm.
Профили распределения ксенона
Возбуждение реакций ядерного синтеза в системах
типа металл-дейтерий
Возбуждение реакций ядерного синтеза при бомбардировке
систем металл-дейтерий ионами инертных газов.
Регистрация продуктов ядерных реакций в твердотельных мишенях
Теоретическое описание процесса возбуждения
ядерных реакций в системе металл - дейтерий.
Выводы
ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ, СОЗДАВАЕМЫХ В НИКЕЛЕ ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ ГЕЛИЯ, АРГОНА, КРИПТОНА И КСЕНОНА.
Деканалирующие факторы точечных и протяженных дефектов.
Зависимость каналирования от массы и энергии
бомбардирующих частиц
Профили точечных дефектов
Дозовая зависимость слоевой концентрации дефектов.
Зависимость деканалирования от дозы облучения
Профили распределения протяженных дефектов.
Выводы.
СВЯЗЬ МЕЖДУ УСЛОВИЯМИ ИМПЛАНТАЦИИ
И РАЗВИТИЕМ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ.
Развитие пористости при отжиге.
Феноменологическая модель развития газовой
пористости при отжиге.
Вывод уравнения взаимосвязи параметров пор
и условий внедрения
Сравнение с экспериментальными результатами.
Повреждаемость поверхности ванадия и ниобия
при облучении на плазменном ускорителе
Морфология поверхности ниобия, ванадия, никеля при облучении сгустками гелиевой плазмы.
Подавление коробления на столбчатой структуре пленок
Выводы.
УДЕРЖАНИЕ ИОННОИМПЛАНТИРОВАННОГО
ДЕЙТЕРИЯ В КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛАХ.
Профили распределения дейтерия
Поведение дейтерия в феррито-мартенситной стали
Поведение ионноимплантированного дейтерия
в стали ГНМФА.
Определение объемной концентрации водорода в материале
сварного соединения № парогенератора АЭС
Закономерности поведения дейтерия в сплаве ZrNb с добавками иттрия
Поведение ионноимплантированного дейтерия .
Термостимулированный выход дейтерия.
Эволюция профилей распределения дейтерия в сплавах циркония в процессе облучения и отжига
Накопление и удержание водорода и дейтерия
в сплавах циркония и низколегированных сталях
с добавками геттерных сплавов на основе циркония.
Накопление и удержание водорода и дейтерия в сплавах циркония.
Методы получения и исследования материалов.
Распределение дейтерия в геттерных сплавах на основе циркония и гафния
Термодесорбция дейтерия из геттерных сплавов
Низколегированая сталь с добавками геттерных сплавов.
Выводы.
ВЛИЯНИЕ ИОННОИМПЛАНТИРОВАННОГО ГЕЛИЯ
НА УДЕРЖАНИЕ ДЕЙТЕРИЯ В СТАЛИ ХНТ
Поведение ионноимплантированного гелия в стали ХНТ
Поведение ионоимплантированного дейтерия в стали ХНТ.
Поведение дейтерия, последовательно внедренного с гелием.
Развитие микроструктуры стали при облучении
ионами водорода и гелия.
Влияние предварительного облучения ионами хрома
на захват дейтерия.
Поведение ионноимплантированного дейтерия в феррито-мартенситных сталях.
Выводы.
ЗАХВАТ ДЕЙТЕРИЯ В УСЛОВИЯХ РАДИАЦИОННОГО
ВОЗДЕЙСТВИЯ.
Поглощение дейтерия углеродными материалами
Создание повреждений и определение концентрации
сорбированного дейтерия.
Накопление дейтерия в предварительно облученных
графитовых материалах.
Захват дейтерия в стали ХНТ в условиях
радиационного воздействия
Повреждаемость стали ХНТ при облучении ионами аргона
Распределение дейтерия по глубине при создании
дефектного слоя
Механизмы удержания дейтерия на пузырьковой структуре, кластерах дефектов и упругих полях напряжений вокруг пузырьков
Выводы.
ВЫВОДЫ
СПИСОК
- Киев+380960830922