Особенности измерений линейных размеров субмикронных структур методом растровой электронной микроскопии

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Измерение линейных размеров в растровой электронной микроскопии .
1.1 Физические основы и устройство растрового электронного микроскопа
1.2 Вторичная электронная эмиссия.
1.2.1 Упругое рассеяние электронов
1.2.2 Неупругое рассеяние электронов
1.3 Измерение линейных размеров в растровой электронной микроскопии
1.3.1 Расхождение результатов при измерениях с помощью различных методов.
1.3.2 Подход к измерениям, основанный на моделировании
1.3.3 Безмодельный подход на основе анализа формы видеосигнала .
1.3.4 Развитие подходов измерений, основанных на моделировании
Заключение к главе 1.
ГЛАВА 2. Разработка программной модели РЭМ.
2.1 Моделирование взаимодействия электронного зонда с исследуемым
образцом
2.1.1 Метод МонтеКарло.
2.1.2 Моделирование первичного пучка электронов.
2.1.3 Взаимодействие пучка ускоренных электронов с образцом.
2.2 Моделирование сбора вторичных электронов
2.3 Проверка модели.
Заключение к главе 2.
ГЛАВА 3. Измерение линейных размеров методом растровой электронной
микроскопии
3.1 Концепция проведения измерений
3.2 Привязка к первичному эталону длины.
3.3 Измерение линейных размеров и определение погрешности.
Заключение к главе 3.
ГЛАВА 4. Применение представленного способа измерения линейных размеров для
тэйи диагностики
4.1 Атомнопроекционная литография
4.2 Определение параметров микролинз.
Заключение к главе 4
Заключение
Литература