Наноструктуры в двумерных электронных системах

Оглавление
Введение
1 Обзор литературы
1.1 Краевые состояния в двумерном электронном газе в режиме целочисленного квантового эффекта Холла.
1.1.1 Транспорт между краевыми состояниями в структурах с одним двумерным слоем .
1.1.2 Транспорт между краевыми состояниями в структурах с двумя туннельносвязанными двумерными слоями .
1.2 Создание наноструктур методом локального анодного оксидирования . .
1.2.1 Нанооксидирование титановых пленок.
1.2.2 Нанооксидирование гетероструктур ОаА1Аз
1.3 Баллистический транспорт через наноструктуры в двумерном электронном газе гетеропереходов
СаА1А5.
1.3.1 Квантовый точечный контакт
1.3.2 Квантовая точка.
2 Перенос заряда между краевыми состояниями в двумерных электронных
системах
2.1 Экспериментальная установка.
2.2 Образцы.
2.3 Методика эксперимента.
2.4 Механизм релаксации в транспорте между расщепленными по спину кра
евыми состояниями при сильном разбалансе в однослойной двумерной электронной системе
2.5 Влияние объемного фазового перехода на краевой энергетический спектр в двумерной двуслойной
электронной системе
3 Создание наноструктур методом высоковольтного локального анодного оксидирования в атомносиловом микроскопе, и их тестирование
3.1 Установка для нанолитографии.
3.2 Методика нанолитографии
3.3 Интерферометры на тонких пленках титана
3.4 Открытая квантовая точка в етероструктуре
ОаА1Аз с двумерным газом на глубине нм под поверхностью.
3.5 Управляемый квантовый точечный контакт в гетероструктурс СаА1Ав с
двумерным газом на глубине нм под под поверхностью
4 Электронный транспорт через открытую квантовую точку при низких температурах в нормальных магнитных полях
4.1 Экспериментальная установка.
4.2 Методика эксперимента.
4.3 Экспериментальные результаты
4.4 Обсуждение
Заключение
Литература