СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I ИСТОЧНИКИ ПЛАЗМЫ В МИКРО И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ
И МЕТОДЫ ИХ ДИАГНОСТИКИ
1.1 Введение
1.2 Источники плазмы в микроэлектронике.
1.2.1 Источники плазмы с совмещенными зонами.
1.2.2. Источники плазмы с разделенными зонами
1.2.2.1. Источники плазмы без магнитного поля.
1.2.2.2 Источники плазмы с магнитным полем
1.3. Методы диагностики плазмы в микроэлектронике
1.3.1 Метод электрических зондов, его применение для оптимизации технологического плазменного оборудования
ГЛАВА II ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР ДИОДНОГО ТИПА НА
БАЗЕ НЧ РАЗРЯДА
2.1. Экспериментальная установка.
2.1.2. Схема зондовых измерений
Щр 2.2. Особенности зондовой диагностики плазмы
электроотрицательных молекулярных газов при средних давлениях
2.2.1. Учт влияния стока электронов на зонд.
2.2.2. Диагностика по ионной ветви зондовой характеристики.
2.3. Экспериментальные результаты
2.3.1. Режим горения разряда.
2.3.2. ФРЭЭ и е моменты.
2.3.3. Определение концентрации положительных ионов
2.3.4. Потенциал плазмы
2.4. Зондовые методы диагностики процессов плазмохимического
травления
ГЛАВА III ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР НА ОСНОВЕ
ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ
3.1. Технологическая установка.
3.1.1. ВЧ источник с индуктивным возбуждением плазмы
3.1.2. Измерительный комплекс
3.2. Особенности зондовой диагностики индуктивно связанной
плазмы электроотрицательных молекулярных газов в плазмохимических установках
3.2.1. Электромагнитные поля в зоне измерений
3.2.2. Конечное значение сопротивлений элементов зондовой
3.2.3. Колебания потенциала плазмы.
3.3. Методика обработки зондовых измерений
3.4. Экспериментальные результаты и их обсуждение.
3.4.1. Зависимости параметров плазмы от вкладываемой в
разряд мощности
3.4.2. Влияние магнитной системы защиты стенок на
радиальную однородность параметров плазмы
ГЛАВА IV ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР НА ОСНОВЕ СВЧ
ИСТОЧНИКА
4.1. Технологическая установка
4.2. Ионная ветвь ВАХ одиночного электрического зонда Ленгмюра
в плазме электроотрицательных газов, влияние отрицательных
Ь ионов на образование слоя пространственного заряда.
4.3. Экспериментальные результагы и их обсуждение.
4.3.1. Зависимости параметров плазмы от вкладываемой в
разряд мощности
4.4. Радиальная однородность параметров плазмы. Сравнение 1СР и
СВЧ источников с точки зрения их применимости в
технологии.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ .
ЛИТЕРАТУРА
- Киев+380960830922