Ви є тут

Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения

Автор: 
Ищук Валерия Петровна
Тип роботи: 
Кандидатская
Рік: 
1983
Артикул:
325845
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Моделирование методом МонтеКарло процессов нейтронного воздействия на тройные соединения
1. Прохождение нейтронов через вещество
2. Метод МонтеКарло и постановка задачи
3. Математическая модель процесса переноса
4. Моделирующий алгоритм и его программная реализация
5. Численные эксперименты
6. Обсуждение результатов и выводы. ГЛАВА П. Расчет глубины проникновения протонов и пространственного распределения радиационных дефектов
в СехИТе методом МонтеКарло
1. Основные положения теории прохождения быстрых заряженных частиц через вещество
2. Постановка 8адачи.
3. Математическая модель процесса внедрения протонов
4. Моделирующий алгоритм и его программная реализация
5. Численные эксперименты по облучению протонами
6. Обсуждение результатов и выводы
ГЛАВА Ш. Исследование возникновения радиационных дефектов в соединении Ы, Ид,., под действием гаммаквантов и быстрых электронов методом МонтеКарло
1. Теоретические представления о возникновении радиационных дефектов под действием электронного и облучения
2. Теоретиковероятностная модель прохождения квантов и электронов в соединении Ссх Те
3. Моделирующий алгоритм и его программная
реализация
4. Вычислительные эксперименты
5. Обсуждение результатов и выводы
ГЛАВА У. Воздействие нейтронного и протонного облучения
на электрические свойства соединений а и9, те
1. Постановка задачи и обзор литературы
2. Облучение нейтронами
3. Облучение протонами
4. Свойства полученных рп, переходов
5. Выводы IIГ
ВЫВОДЫ ИЗ
ЛИТЕРАТУРА