- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2001
Артикул:
1000343201 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников
- Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках
- Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
- Научное и технологическое обеспечение нанесения упрочняющих наноразмерных тонкопленочных покрытий для изделий электронной техники
- Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников
- Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
- Исследование причин деградации и разработка подходов к повышению стабильности наноразмерных межсоединений СБИС
- Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона
- Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
- Технология элементной базы защитных устройств для радиолокаторов сверхвысоких частот