Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПРОБЛЕМАТИКА РАБОТЫ
1.1. Свойства и применение твердых растворов на основе антимонида галлия.
т 1.2. Фазовые равновесия в гетеросистемах на основе антимонида
галлия.
1.3. Особенности условий формирования эпитаксиальных гетероструктур в антимонидных системах.
1.4. Постановка задачи исследования
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ РАБОТЫ
2.1. Модельные представления фазовых превращений в многокомпонентных твердых растворах
2.2. Уточнение термодинамических параметров
2.3. Анализ данных расчета поверхностей ликвидус и солидус в
гетеросистемах СаГпБЬ и Оа1пБЬВ1.
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ф ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ
МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ваЗЬ.
3.1. Аппаратурное оформление проведения процессов градиентной жидкофазной кристаллизации.
3.2. Подготовка исходных материалов для проведения процессов градиентной жидкофазной кристаллизации в многокомпонентных системах на основе антимонида галлия.
Ф 3.3. Особенности технологии получения многокомпонентных
т гетероструктур ОаЭЬВЮаЗЬ и Оа1п8ЬВГСа8Ь.
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 4. СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
ОаЗЬВЖЗавЬ И Оа1п8ЬВ1Оа8Ь
4.1. Структурное совершенство и твердофазные превращения в
0 твердых растворах на основе антимонида галлия.
4.2. Электрофизические характеристики твердых растворов Са8ЬВ1 и Са1п8ЬВ1.
4.3. Фотоэлектрические свойства твердых растворов на основе антимонида галлия
4.4. Возможности приборной реализации гетероструктур Са8ЬВГСа8Ь
ИЗа1п8ЬВ1Оа8Ь
ВЫВОДЫ.
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ