ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ, МОДЕЛИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ СОВРЕМЕННЫХ МОП ТРАНЗИСТОРОВ
1.1 Современное состояние МОП технологии.
1.2 Методы моделирования транзисторов со структурой КИ
1.3 Технологии получения структур кремний на изоляторе
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ РАСЧЕТА ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СТРУКТУРОЙ КИИ
2.1 МОП транзисторы с длиной побласти Ь0А
2.2 Вольтамперные характеристики МОП КНИ транзисторов с
несколькими затворами.
2.3 Вольтамперные характеристики КНИ наноМОП транзисторов с
малой длиной побласти Е00 А и малым количеством доноров в пслое
2.4 Приближенный метод расчета вольтамперных характеристик и
крутизны в наноМОП транзисторах с пканалом и со структурой КНИ с учетом изменения дрейфовой скорости электронов по длине канала
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
ГЛАВА 3. МЕТОДЫ РАСЧЕТА ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ И ВЛИЯНИЕ НА НЕГО КОНСТРУКТИВНЫХ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ
3.1 Пороговое напряжение в наноМОП транзисторах со структурой КНИ и длиной пслоя 1,00 А.
3.2 Влияние толщины сверхтонкого основания на пороговое напряжение в наноМОП транзисторах со структурой КНИ
3.3 Влияние конструктивных параметров на пороговое напряжение в
рканальных наноМОП транзисторах со структурой КНИ и
сверхтонким основанием.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.
ГЛАВА 4. МЕТОДЫ РАСЧЕТА ЕМКОСТЕЙ В НАНОМОП ТРАНЗИСТОРАХ СО СТРУКТУРОЙ КНИ
4.1 Методы расчета входной, проходной, выходной емкостей в нано
МОП транзисторах со структурой КНИ.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922