Ви є тут

Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями

Автор: 

Кучинский Владимир Ильич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

476147

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов
• Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
• Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
• Компьютерное моделирование роста наноструктур
• Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
• Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
• Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
• Фазовые переходы, оптическая бистабильность и образование сверхструктур в полупроводниках Пайерлсовского типа
• Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках