Ви є тут

Усовершенствование и унификация базовой имплантационной технологии фотодиодов из антимонида индия

Автор: 

Максимов Александр Дмитриевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005472681

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники
• Разработка технологических принципов создания композиционных материалов на основе наночастиц кобальта в матрице полистирола
• Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
• Получение и исследование эпитаксиальных структур полупроводник-фианит
• Микропрофилирование композиции SiC-AlN методом реактивного ионно-плазменного травления
• Получение, электрофизические и термочастотные свойства сегнетопьезоэлектрических твердых растворов многокомпонентных систем
• Проходная оптика мощных широкоапертурных импульсных лазеров среднего ИК диапазона
• Оптимизация активных элементов датчиков, использующих эффект гигантского комбинационного рассеяния
• Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
• Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства