Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных схем

Введение.
Глава 1. РАДИАЦИОННЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ И КОНСТРУКТИВНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ БИПОЛЯРНЫХ И КМОП СХЕМ
1.1 Основные радиационные эффекты в элементах интегральных схем.
1.1.1 Классификация радиационных эффектов
1.1.2 Действие облучения на кремниевые биполярные транзисторы
1.1.3 Действие облучения на кремниевые униполярные транзисторы.
1.2 Особенности технологии изготовления КМОП БИС с повышенной радиационной стойкостью.
1.2.1 Технологические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС.
1.2.2 Повышение устойчивости КМОПсхем к импульсам ионизирующего излучения большой мощности
1.2.3 Влияние технологии формирования подзатворного диэлектрика на радиационную стойкость ИС.
1.2.4 Методика контроля радиационной стойкости МОП структуры.
1.3. Методы повышения радиационной стойкости биполярных ИС
1.3.1 Конструктивнотехнологические методы повышения радиационной стойкости ТТЛШ ИС.
1.3.2 Увеличение радиационной стойкости ТТЛШ БИС с помощью метода радиационнотермической отбраковки
Глава 2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА СХЕМОТЕХНИЧЕСКИХ И ТОПОЛОГИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ ИС ТИПА ЕЕ2Т С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ.
2.1 Специфика проектирования ИС типа ЕЕ2Т с повышенной радиационной стойкостью
2.2 Проектирование радиационностойких усилительных и дифференциальных каскадов
2.2.1 Усилительные каскады
2.2.2 Дифференциальные каскады
2.2.3 Влияние гамма излучения на шумовые характеристики дифференциального каскада
2.3 Проектирование радиационностойких интегральных операционных усилителей
2.3.1 Влияние гаммаизлучения на параметры интегральных операционных усилителей.
2.3.2 Критериальные параметры для оценки стойкости интегральных операционных усилителей
2.3.3 Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости ИОУ.
2.4 Выбор полупроводниковой структуры и состава необходимых элементов ИС типа ЕЕ2Т.
Глава 3. АНАЛИЗ ОСНОВНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДО И ПОСЛЕ
ИСПЫТАНИЙ НА ВОЗДЕЙСТВИЕ РАДИАЦИИ А ИС ТИПА ЕЕ2Т.
3.1 Режимы и специфика работы ИС типа ЕЕ2Т.
3.1.1 Схема включения и блоксхема микросхемы
3.1.2 Импульсный источник питания 3,3 В.
3.1.3 Импульсный источник питания 5 В.
3.1.4 ШИМконтроллеры источников питания 3,ЗВ и 5В.
3.2 Характеристика разработанной ИС типа ЕЕ2Т
3.3 Испытания на стойкость ИС типа ЕЕ2Т к воздействию ионизирующего излучения.
3.3.1 Результаты испытаний ИС типа ЕЕ2Т на стойкость к воздействию максимальной мощности экспозиционной дозы гаммаизлучения
3.3.2 Результаты испытаний ИС типа ЕЕ2Т на стойкость к воздействию экспозиционной дозы гаммаизлучения
3.4 Оценка гаммапроцентного ресурса ИС типа ЕЕ2Т.
3.5 Оценка гамма процентного срока сохраняемости ИС типа ЕЕ2Т.
Глава 4. СПОСОБЫ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ.
4.1 Способ неразрушающего контроля качества на примере ИС типа К1ЛН2.
4.2 Способ отбраковки потенциально ненадежных схем с помощью динамических токов потребления на примере ИС типа КРЛН1
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ