Содержание
Введение
Глава 1. Металлоорганическая газофазная эпитаксия полупроводниковых соединений
А3В5 и твердых растворов на их основе Обзор литературы
1.1. Пиролиз металлоорганических соединений и гидридов
1.2. Управление процессом эпитаксиального роста в газотранспортной установке
1.3. Легирование эпитаксиальных структур
1.4. Выводы
Глава 2. Методики получения полупроводниковых гегеросруктур и тонких слоев
в процессе мсталлоорганической газофазной эпитаксии
2.1. Введение
2.2. Описание установки эпитаксиального роста и методик контроля эпитаксиальных структур
2.3. Условия роста и свойства эпитаксиальных слоев
2.4. Эпитаксиальный рост полупроводниковых структур с тонкими слоями
с резким изменением легирования и состава
2.5. Эпитаксиальный рост упругонапряженных тонких слоев пСаАБ на ОаАэ
2.6. Получение 8легированных слоев ваАв
2.7. Выводы
Глава 3. Осаждение наноостровковых и сплошных металлических пленок А на атомарно чистую поверхность ОаАэ в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии
3.1. Введение
3.2. Начальные стадии осаждения А1 на атомарно чистую поверхность СаЛэ
3.3. Структура и свойства пленок алюминия на поверхности СаАэ
3.4. Электрические свойства тонких алюминиевых пленок и контактов на их основе
3.5. Вариация высоты барьера Шотгки Л1 бп ОаАБ и формирование невплавных омических контактов
3.6. Оптимизация процесса б легирования с целью контролируемого управления высотой барьера Шоггки в А1 бп СаЛэ
3.7. Эпитаксия ваАз поверх наноостровковых пленок алюминия
3.8. Выводы
Глава 4. Апробация эпитаксиальных гетероструктур в приборах миллиметрового
диапазона длин волн
4.1. Введение
4.2. Формирование мембранных структур для смесительных диодов Шо ггки
с субмикронным анодом
4.3. Структура для умножительной матрицы торцевых диодов Шоттки
4.4. Детекторные диоды миллиметрового диапазона на основе структур с пониженным эффективным барьером Шоттки
4.5. Малоинерционный отклик искусственной среды на основе ваАв с внедренными массивами А1 наноостровков
4.6. Выводы
Заключение
Список цитированной литературы
- Київ+380960830922