Введение.
Глава 1. Воздействие радиационного облучения на полупроводниковые
приборы и материалысостояние проблемы
1.1. Типы радиационного излучения. Источники радиации
1.2. Дефектообразование в полупроводниковых материалах и структурах при радиационном воздействии.
1.2.1. Образование дефектов смещения при воздействии радиационного излучения.
1.2.2. Стабилизация кластеров радиационных дефектов.
1.2.3. Дефекты, образующиеся в а Аз при нейтронном воздействии. .
1.2.4. Особенности дефектообразования в полупроводниковых приборных гетероструктурах. Эффект усиления влияния радиационного воздействия
1.3. Влияние радиационного излучения на характеристики полевых транзисторов
1.3.1. Основные характеристики транспорта электронов в полевых транзисторах в отсутствие облучения.
1.3.2. Изменение характеристик полупроводниковых материалов при воздействии радиационного облучения.
1.3.3. Изменение характеристик полевых транзисторов при воздействии радиационного излучения.
1.4. Основные методы моделирования транспорта носителей заряда в короткоканальных полупроводниковых приборах.
1.4.1. Метод эквивалентной схемы
1.4.2. Моделирование методом частиц.
1.4.3. Квазигидродинамический метод.
1.5. Улучшение параметров полевых транзисторов Шоттки при
использовании квантоворазмерных эффектов
1.6. Выводы к главе 1
Глава 2. Методы численного моделирования процессов дефектообразования и транспорта носителей заряда при радиационном воздействии в полупроводниках, полупроводниковых приборах и структурах.
2.1. Исследуемые объекты
2.2. Моделирование процессов дефектообразования и анализ топологии дефектов, возникающих при радиационном воздействии в С а Ль и гстсроструктурах полевых транзисторов
2.2.1. Алгоритм анализа топологии радиационных дефектов, образующихся при воздействии нейтронного облучения различных энергий
2.2.2. Алгоритм анализа топологии кластеров радиационных дефектов, образующихся в приборных структурах УПТШ с различными конструкуиями буферного слоя при воздействии нейтронного облучения
2.3. Моделирование транспорта носителей заряда в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах при радиационном воздействии.
2.3.1. Алгоритм моделирования транспорта носителей заряда в активной области ПТШ с гомо и гетероструктурыми буферными слоями с учетом радиационного воздействия
2.3.2. Алгоритм анализа радиационной модификации транспорта носиелей заряда в активной облати квазибачлистического ПТШ с учетом квантовых эффектов проникновения меэсду СКРД.
Выводы к главе 2
Глава 3. Дефектообразование в арссниде галлия и арсеннд галлиевых полупроводниковых моно и гстсроструктурах при радиационном воздействии .
3.1. Анализ топологии кластеров радиационных дефектов, образующихся в ваАя при облучении быстрыми нейтронами.
3.1.1. Расчет распределений размеров СКРД и расстояний между ними при воздействии нейтронов различных энергий
3.1.2. Расчет фрактальной размерности КРД, образующихся в при нейтронном облучении.
3.2. Анализ топологии субкластеров радиационных дефектов, образующихся при облучении нейтронами спектра деления в активной области квазибаллистического полевого транзитора Шоттки с Vобразным затвором при различных конструкциях буферного слоя. .
3.2.1. Анализ топологии СКРД, образующихся при нейтронном облучении в структуре квазибаллистического полевого транзитора Шоттки с Vобразным затвором
3.2.2. Микроскопия кластеров посредством горячих электронов
. Исследование вляния комплексного гамманейтронного облучения на топологию радиационных дефектов, образующихся в
облученных протонами встречноштыревых структурах
Выводы к главе 3.
Глава 4. Ттранспорт носителей заряда в нанометровых полупроводниковых моно и гстсроструктурах на основе при радиационном воздействии
4.1. Изменение параметров с учетом топологии кластеров
радиационных дефектов
4.2. Исследование транспорта носителей заряда и радиационной модификации характеристик квазибаллистического ПТШ с Vобразным i затвором в условиях динамического управления
длиной канала прибора
4.3. Улучшение характеристик квазибаллисгическнх ПТШ с
Vобразным затвором при нейтронном облучении.
4.4. Влияние топологии радиационных дефектов на характеристики квазибаллистичсских ПТШ с Vобразным затвором и
гетероструктурным буферным слоем при воздействии нейтронов
различных энергий.
4.5. Формирование решетки радиационных дефектов в канале СдАб
полевого транзистора Шоттки.
Выводы к главе 4
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922