Введение.
Глава 1. Эквивалентные схемы и I параметры
полупроводниковых приборов
1.1 Вольтамперная характеристика р перехода.
1.2 Пробой р перехода
1.3 Схема замещения полупроводникового диода
1.4 Вольтамперная характеристика биполярного транзистора
1.5 Схема замещения биполярного транзистора.
1.6 Выводы
Глава 2. Исследование методов построения многооткликовых
моделей и планирование эксперимента.
2.1 Метод максимального правдоподобия для оценивания коэффициентов многооткликовых моделей.
2.1.1 Нелинейная модель
2.1.2 Линейная модель
2.1.3 Известная ковариационная матрица
2.1.4 Известная диагональная ковариационная матрица
2.1.5 Неизвестная диагональная ковариационная матрица
2.1.6 Неизвестная недиагональная ковариационная матрица
2.2 Анализ методов оптимизации для оценивания коэффициентов многооткликовой модели
2.2.1 Постановка задачи оптимизации
2.2.2 Метод наискорейшего спуска.
2.2.3 Метод НьютонаРафсона
2.2.4 Метод Гаусса.
2.2.5 Метод МарквардтаЛевенберга
2.2.6 Размер шага
2.2.7 Критерии останова
2.2.8 Начальные приближения
2.2.9 Расчет оценок коэффициентов в задачах
максимального правдоподобия.
2.2. Сравнительный анализ методов оптимизации.
2.3 Модификация метода Гаусса для расчета оценок
коэффициентов моделей.
2.3.1 Расчет оценок коэффициентов.
2.3.2 Ковариационная матрица оценок коэффициентов.
2.3.3 Практическая реализация метода Гаусса.
2.4 Проверка адекватности модели
2.4.1 Критерии проверки адекватности
2.4.2 Проверка на нулевое среднее остатков
2.4.3 Проверка ковариационных матриц на однородность
2.4.4 Проверка некоррелированности ошибок наблюдений
2.4.5 Методы дискриминации моделей
2.5 Планирование эксперимента.
2.5.1 Предсказание по модели
2.5.2 оптимальное планирование
2.5.3 Построение последовательных планов
2.5.4 Начальный план эксперимента.
2.5.5 Программа построения оптимальных планов методом поиска
2.5.6 Программа построения последовательных планов
2.6 Выводы
Глава 3. Методика экстракции I параметров полупроводниковых приборов с помощью многооткликовых моделей.
3.1 Проблема оценивания I параметров
полупроводниковых приборов
3.2 Методика выполнения измерений и расчета I
параметров полупроводниковых приборов.
3.2.1 Расчет оценок I параметров
3.2.2 Методика выполнения измерений и расчета I параметров .
3.2.3 Преобразование переменных для обеспечения однородности
дисперсионной матрицы ошибок измерений.
3.3 Экстракция I параметров полупроводниковых диодов.
3.3.1 Вид регрессионной модели ВАХ полупроводникового
диода и расчет оценок ее коэффициентов.
3.3.2 Расчет ВАХ диода.
3.3.3 Расчет оценок коэффициентов модели ВАХ диода.
3.3.4 Методика оценивания I параметров диода.
3.3.5 Результаты экстракции параметров I модели диодов
и их сравнение с измеренными значениями
3.4 Экстракция I параметров биполярного транзистора
3.4.1 Вид регрессионной модели ВАХ биполярного транзистора
и расчет ее коэффициентов.
3.4.2 Расчет ВАХ транзистора
3.4.3 Программа расчета оценок параметров
модели ВАХ транзистора.
3.4.4 Методика оценивания параметров модели ВАХ транзистора.
3.4.5 Результаты расчетов параметров I модели транзисторов
3.5 Выводы
Заключение.
Литература
- Київ+380960830922