Введение
1. Методика исследований методом вторичноионной масс
спектрометрии и используемая аппаратура.
1.1. Методические особенности исследования поверхностного слоя материалов с помощью ВИМС
1.1.1. Взаимодействие ускоренных ионов с веществом мишени
1.1.2. Распыление мишени при ионной бомбардировке.
1.1.3. торичная ионная эмиссия
1.2. Применения ВИМС для анализа поверхности и приповерхностных слоев материалов
1.2.1. Исследование поверхности.
1.2.2. Глубинные профили концентрации.
1.2.3. Распределение частиц по поверхности, микроанализ и объемный анализ
1.3. Методика количественного анализа методом ВИМС поверхностного слоя образцов.
1.3.1. Профили распределения концентрации компонентов по глубине
1.3.2. Приборные факторы, влияющие на разрешение по глубине
при построении профилей концентрации.
1.3.3. Влияние ионноматричных эффектов на разрешение по глубине при построении профилей концентрации.
1.4. Аппаратура, применяемая для ВИМС.
1.4.1. Общее устройство установки для ВИМС
1.4.2. Установки для решения частных аналитических проблем
1.4.3. Установки, позволяющие получать сведения о распределении компонентов по поверхности.
1.4.4. Установки с прямым изображением
Выводы из 1 главы.
2. Вторичноионный массспектрометр МС и его модернизация для анализа наноструктурных полупроводниковых материалов
2.1. Массспектрометр вторичных ионов МС
2.2. Модернизация массспектрометра МС для анализа наноструктурных полупроводниковых материалов
2.2.1. Стабилизация тока первичных ионов на образец.
2.2.2. Компенсация статического заряда
2.2.3. Расширение диапазона исследуемых масс
2.2.4. Логарифмирование выходного сигнала.
2.2.5. Ячейка для напуска кислорода.
2.2.6. Уменьшение эффекта стенок кратера
2.2.7. Дополнительные камеры для технологических операций по приготовлению образцов
2.2.8. Аттестация вторичноионного массспектрометра КБГУ
Выводы из 2 главы.
3. Результаты исследований профилей распределения компонентов в полупроводниковых наноразмерных структурах
3.1. Исследования методом ВИМС влияния химической обработки и ионной имплантации на степень загрязнения кремниевых пластин
3.2. Исследование распределения алюминия, внедренного в кремний .
3.3. Исследование распределения бора и атомов отдачи алюминия, одновременно имплантируемых в кремний
3.4. Профили распределения элементов врробласти при формировании пролетных областей ЛПД.
Выводы из 3 главы.
4. Исследования распределения компонентов в наноразмерных системах
металлполупроводник
4.1. Сегрегация бора и фосфора на межфазной границе металлическая пленка кремний.
4.2. Влияние процесса силицидообразования на перераспределение примеси бора в системах Ив и ТБ.
4.3. Перераспределение легирующей примеси в системе металлическая пленка легированный бором кремний.
Выводы из 4 главы.
Основные выводы.
Литература
- Київ+380960830922