ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ПРЕДЕЛЬНЫЕ НАПРЯЖЕИЯрп ПЕРЕХОДОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ И МЕТОДЫ ИХ РАСЧЕТА
1.1. Контакт электронного и дырочного полупроводников
1.2. Пробой рп перехода.
1.2.1. Лавинный пробой рп перехода.
1.2.2. Туннельный пробой
1.2.3. Методы повышения напряжения лавинного пробоя в планарных рп переходах
1.3 Предельные параметры мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором I.
1.4 Постановка задачи численного моделирования полупроводниковых структур
1.5 Современные численные и аналитические модели планарных рп переходов для определения напряженности электрических полей и
потенциалов.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.
ГЛАВА 2. РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ОТ РАЗЛИЧНЫХ ЧАСТЕЙ ПЛАНАРНОГО РЕЗКОАССИМЕТРИЧНОГО рп ПЕРЕХОДА МЕТОДАМИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЦИЛИНДРОВ И ЗАРЯЖЕ1П ЕЫХ ШАРОВ.
2.1. Постановка задачи.
2.2. Метод заряженных цилиндров для расчета двумерных электрических полей в планарном рп переходе
2.2.1. Расчет двумерных электрических полей от плоского заряженного слоя бесконечной ширины методом заряженных цилиндров
2.2.2. Расчет двумерных электрических полей от боковой части
планарного рп перехода бесконечной ширины.
2.3. Метод заряженных шаров для расчета электрических полей от различных частей трехмерного рп перехода
2.3.1. Расчет электрического поля от однородно заряженного тонкого цилиндра конечной длины методом заряженных шаров.
2.3.2. Расчет электрического поля от прямоугольного заряженного слоя конечных размеров методом заряженных шаров.
2.3.3. Расчет электрического поля от боковой цилиндрической части планарного рп перехода конечной ширины методом заряженных шаров
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.
ГЛАВА 3. ПРИМЕНЕННИЕ МЕТОДОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЦИЛИНДРОВ И ЗАРЯЖЕННЫХ ШАРОВ ДЛЯ РАСЧЕТА ЭЛЕТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ОТ
ЗАРЯЖЕННЫХ ТЕЛ С ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ СИММЕТРИЕЙ.
3.1. Расчет поля от заряженного цилиндра конечной длины
3.2 Примеры расчета поля от заряженного сплошного цилиндра конечной длины
3.3 Расчет электрических полей в конденсаторах с электродами в виде круглых дисков и произвольной толщиной диэлектрика.
3.4 Примеры расчетов поля в конденсаторах с произвольной толщиной диэлектрика
3.5 Расчет электрических полей и предельных напряжений в мезадиоде с круговой областью.
3.6 Пример расчета полей и напряженностей в трехмерном рп переходе мезадиода с круговой р областью.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
ГЛАВА 4. ПРИМЕРЫ РАСЧЕТОВ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ДВУМЕРНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ И ПРОБИВНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ рп
ПЕРЕХОДОВ В РАЗЛИЧНЫХ ТИПАХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ.
4.1. Расчет распределения двумерных электрических полей в плоских рп
пг переходах конечных размеров методом заряженных цилиндров
4.2 Пример расчета поля в двухмерном рпп диоде.
4.3 Расчет составляющих напряженности электрического поля в мезадиоде .
4.4 Пример расчета составляющих поля в двухмерном мезадиоде.
4.5 Расчет составляющих полей и пробивных напряжений в планарных рп переходах.
4.5.1 Пример расчета составляющих полей и пробивных напряжений в одномерных планарных рп переходах.
4.5.1 Пример расчета составляющих полей и пробивных напряжений в двухмерных планарных рп переходах.
4.6 Расчет напряженности поля в эмиттерном рп переходе и падения напряжения коллекторэмиттер 1ю в транзисторах с инжекцией, усиленной затвором 1ЕСТ.
4.7 Пример расчета полей и пробивных напряжений в 1ЕСТ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАН ЕЫХ ИСТОЧНИКОВ
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность
- Київ+380960830922