- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски
Тип роботи:
Дис. канд. техн. наук
Рік:
2005
Артикул:
25758 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера
- Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ
- Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
- Конструирование и технология производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона и устройств на их основе
- Градиентная жидкофазная кристаллизация твердых растворов PbSnTe/PbTe с применением системы цифровой обработки сигналов
- Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов : На примере InSbBi, AlInSbBi
- Исследование влияния сорбата остаточных газов на работоспособность элементов вакуумного технологического оборудования
- Оборудование для контроля анодного тока при высоковольтной тренировке в производстве рентгеновских приборов
- Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Защитные тонкопленочные покрытия на основе нитридов элементов III и IV групп периодической системы : Получение, свойства и применение