Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Гетероструюуры на основе соединений v
1.1.1. Понятие о гетероструктурах. Модель гетероперехода.
1.1.2. Оптические свойства гетеропереходов.
1.1.3. Низкоразмерные гетероструктуры.
1.1.4. Эффект размерного квантования.
1.1.5. Приборы, основанные на использовании квантоворазмерных эффектов.
1.2. Получение гегероструктур методом МОСгидридной эпитаксии.
1.2.1. Метод МОСгидридной эпитаксии.
1.2.2. Оборудование МОСгидридной эпитаксии.
1.2.3. Исходные компоненты для МОСгидридной эпитаксии.
1.2.4. Технологические параметры МОСгидридной эпитаксии.
1.2.5. Основные проблемы технологии МОСгидридной эпитаксии.
1.3. Факторы, влияющие на распределение основных и легирующих компонентов в гетероегрукгурах на основе соединений v, полученных методом МОСгидридной эпитаксии.
1.3.1. Диффузия основных и примесных компонентов в процессе выращивания гстероструктур.
1.3.2. Сегрегационные явления при формировании низкоразмерных гетероструктур.
1.3.3. Влияние напряжений несоответствия на вхождение компонентов в растущие эпитаксиальные слои.
ГЛАВА 2. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР 1пСаАзА1СаА8.
2.1. Объекты исследований.
2.2. Усгановка для получения эпитаксиальных гетероструктур.
2.3. Измерительное оборудование.
ГЛАВА 3. ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР 1пСаА8А1СаАз ДЛЯ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ.
3.1. Зависимость характеристик лазерною диода от параметров эпитаксиальной гетероструктуры.
3.2. Моделирование профилей распределения цинка в лазерной гетерострукгуре 1пОаА8А1ОаАв.
3.2.1. Расчетная модель диффузии цинка в гетерострукгуре 1пОаАзА1ОаА5.
3.2.2. Обсуждение результатов расчета и краткие выводы.
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА РАСЧЕТНОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ КОНЦЕНТРАЦИОННЫХ ПРОФИЛЕЙ ИНДИЯ В КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 1пСаА8А1СаА8.
4.1. Экспериментальное исследование профилей распределения индия в низкоразмерных гетероструктурах 1пОаА8А1СаА8, выращенных методом МОСгидридной эпитаксии.
4.2. Разработка расчетной модели для описания сегрегации индия при формировании низкоразмерных гетероструктур 1пСаА8А1ОаА.
4.2.1. Основные положения и допущения расчетной модели.
4.2.2. Описание расчетной модели.
4.2.2.1. Расчетная модель для учета влияния специфики физикохимического взаимодействия в системе 1пСаАз на сегрегацию индия.
4.2.2.1.1. Вариант без учета изменения скорости роста от состава эпитаксиального слоя.
4.2.2.1.2. Вариант с учетом изменения скорости роста от состава эпитаксиального слоя.
4.2.2.2. Расчетная модель для оценки влияния упругих напряжений на концентрационные профили индия.
4.3. Результаты моделирования концентрационных профилей индия в гетероструктурах 1пСаАзА1ОаА8 и их обсуждение.
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ