- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al_x Ga_1-x As и In_x Ga_1-x As на основе математической модели
Тип роботи:
Дис. канд. техн. наук
Рік:
2004
Артикул:
25782 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Кристаллизация стекол в системах Bi2O3-SiO2 и Bi2O3-GeO2
- Создание новых пьезоэлектрических материалов с заданными свойствами и приборов на их основе
- Разработка оборудования для экспресс-анализа концентраций примесей в полупроводниковых материалах методом статической фурье-спектроскопии
- Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
- Основы формально-эвристического проектирования вакуумного оборудования электронной техники
- Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий
- Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
- Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе a-Si:H и его сплавов и халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te
- Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3 В5 с заданными свойствами
- Эволюция межфазных границ в процессе зонной перекристаллизации в поле температурного градиента с учетом гидродинамических эффектов