ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ИССЛЕДОВАНИЯ.
1.1. Пористая подложка как метод снижения напряжений в гетероструктуре.
1.2. Пористые подложки полупроводниковых материалов.
1.3. Методы получения эпитаксиальных слоев соединений АЗВ5
1.4. Моделирование процессов получения слоев
1.4.1. Расчет основных параметров твердых растворов.
1.4.2. Ограничения на получение твердых растворов.
1.4.3. Фазовые равновесия в многокомпонентных системах
1.4.4. Влияние кристаллографической ориентации подложки на состав эпитаксиальных слоев.
1.5. Постановка задачи исследования.
1.6. Выводы.
ГЛАВ А 2. РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ И ДИАГРАММ
СОСТОЯНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМ АЗВ5
2.1. Определение основных электрофизических параметров многокомпонентных твердых растворов i в зависимости от состава
2.2. Расчет когерентной фазовой диаграммы для псевдоморфного четверного твердого раствора с учетом ориентационного влияния подложки.
2.2.1. Равновесная фазовая диаграмма
2.2.2. Когерентная фазовая диаграмма
2.2.3. Фазовая диаграмма с учетом ориентационного влияния подложки
2.3. Выводы.
ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЖФЭ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ.
3.1. Аппаратурное оформление процессов ЖФЭ.
3.2. Подготовка исходных материалов
3.3. Методические особенности процессов ЖФЭ
3.4. Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия и твердых растворов
3.5. Особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев на подложках пористого фосфида индия
3.6. Выводы
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И
ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
4.1. Методики исследования полученных эпитаксиальных слоев и гстероструктур.
4.2. Свойства пористого фосфида индия
4.3. Свойства эпитаксиального слоя фосфида индия
4.4. Свойства гетероструктур I
4.5. Свойства диодов Шоттки на основе фосфида индия.
4.6. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922