Ви є тут

Закономірності гасіння люмінесценції та зміни зарядового стану Yb3+ в сильноактивованих монокристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12.

Автор: 
Мартинюк Наталія Володимирівна
Тип роботи: 
Дис. канд. наук
Рік: 
2009
Артикул:
0409U001400
129 грн
Додати в кошик

Вміст

ЗМІСТ
ПЕРЕЛІК УМОВНИХ СКОРОЧЕНЬ ВСТУП
РОЗДІЛ 1. ХАРАКТЕРИСТИКА МОНОКРИСТАЛІЧНИХ МАТЕРІАЛІВ Yb:YAlO ЯК ЛАЗЕРНИХ АКТИВНИХ СЕРЕДОВИЩ .
1.1. Сучасна концепція дискових та мікрочіпових лазерів
1.1.1. Особливості конструкції дискових лазерів
1.1.2. Вимоги до активних середовищ
1.1.3. Кристалічні матеріали, активовані ітербієм, для активних середовищ дискових лазерів
1.2. Кристалічна структура, фізико-хімічні та оптичні властивості ітрій-алюмінієвого гранату, активованого йонами ітербію
1.2.1. Лазерна матриця YAlO
1.2.2. Властивості йона Yb+ у матриці YAlO .
1.2.3. Концентраційні залежності властивостей сильноактивованих монокристалів Yb:YAlO .
1.2.4. Властивості йона Yb+ у матриці YAlO .
1.2.5. Зміна зарядового стану йонів ітербію
1.3. Явища передавання енергії збудження в кристалах
1.3.1. Безвипромінювальне передавання енергії
1.3.2. Макроскопічні моделі процесів безвипромінювального передавання енергії .
1.3.3. Квантова ефективність люмінесценції .
1.3.4. Центри гасіння люмінесценції йонів Yb+ в кристалах ІАГ.
1.3.5. Особливості сильноактивованих кристалів
Висновки до
розділу
РОЗДІЛ 2. МЕТОДИКА ДОСЛІДЖЕНЬ
2.1. Одержання монокристалічних матеріалів Yb:YAlO
2.1.1. Вирощування монокристалів Yb:YAlO за методом Чохральського .
2.1.2. Вирощування монокристалічних плівок Yb:YAlO за методом рідинно-фазної епітаксії (РФЕ)
2.1.3. Виготовлення зразків для досліджень.
2.2. Дослідження кристалічної структури.
2.3. Вимірювання часу життя верхнього лазерного рівня йона Yb+
2.4. Спектроскопія
2.4.1. Методика одержання спектрів оптичного поглинання .
2.4.2. Високотемпературна in-situ оптична спектроскопія
2.5. Електронно-зондовий мікроаналіз
Висновки до
розділу
РОЗДІЛ 3. ЗАЛЕЖНОСТІ ПАРАМЕТРІВ КРИСТАЛІЧНОЇ СТРУКТУРИ, ЧАСУ ЖИТТЯ ЛАЗЕРНОГО РІВНЯ ТА ОПТИЧНОГО ПОГЛИНАННЯ СИЛЬНОАКТИВОВАНИХ КРИСТАЛІВ Yb:YAlO ВІД КОНЦЕНТРАЦІЇ ЙОНІВ ІТЕРБІЮ .
3.1. Особливості кристалічної структури
3.2. Спектри оптичного поглинання
3.3. Час життя верхнього лазерного рівня активного йона
Висновки до
розділу
РОЗДІЛ 4. МЕХАНІЗМИ ГАСІННЯ ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ЙОНІВ Yb+ У КРИСТАЛАХ Yb:YAlO
4.1. Феноменологічні моделі процесів передавання енергії .
4.1.1. Спонтанна релаксація збуджених донорів .
4.1.2. Передавання енергії збудження за участі двох центрів .
4.1.3. Передавання енергії збудження за участі трьох центрів .
4.1.4. Передавання енергії збудження за двома механізмами одночасно .
4.2. Гасіння люмінесценції йонів Yb+ йонами Yb+, Ni+, Fe+, Fe+ у сильноактивованих кристалах Yb:YAlO .
4.2.1. Гасіння люмінесценції йонами Yb+
4.2.2. Гасіння люмінесценції йонами нікелю .
4.2.3. Гасіння люмінесценції йонами заліза .
Висновки до
розділу
РОЗДІЛ 5. ПЕРЕЗАРЯДЖЕННЯ ЙОНІВ Yb+ - Yb+ У КРИСТАЛІЧНИХ МАТЕРІАЛАХ Yb:YAlO .
5.1. Формування йонів Yb+ під час процесу вирощування
5.2. Процес перезарядження Yb+ ? Yb+ під впливом окиснювального відпалу
5.3. Процес перезарядження Yb+ ? Yb+ під впливом відновлювального відпалу .
5.4. Кінетичні залежності окиснення та відновлення .
Висновки до
розділу
ВИСНОВКИ СПИСОК