ЗМІСТПЕРЕЛІК УМОВНИХ СКОРОЧЕНЬ ВСТУП
РОЗДІЛ 1. АНАЛІЗ СУЧАСНОГО СТАНУ ПРОБЛЕМИ СТВОРЕННЯ АВТОЕМІСІЙНИХ МІКРОКАТОДІВ.
1.1. Принцип функціонування і технології виготовлення автоемісійних мікрокатодів
1.2. Огляд сучасного стану розвитку теорії автоемісії 1.3. Огляд математичних моделей і методів розрахунку напруженості електричного поля і траєкторій руху заряджених частинок
1.4. Аналіз методів стабілізації автоемісійного струму . 1.5. Аналіз характеристик МОН-транзисторів виготовлених по стандартній і "кремній-на-ізоляторі" технологіях .
1.6. Огляд моделей і рівнянь для моделювання напівпровідникових приладів.
1.6.1. Базові рівняння для моделювання напівпровідникових приладів
1.7. Висновки та постановка задач досліджень дисертаційної роботи .
РОЗДІЛ 2. МАТЕМАТИЧНІ МОДЕЛІ І АЛГОРИТМИ РОЗРАХУНКУ АВТОЕМІСІЙНОГО СТРУМУ НАПІВПРОВІД-НИКІВ ТА ТРАЕКТОРІЙ РУХУ ЕЛЕКТРОНІВ .
2.1. Доповнення рівняння Фаулера-Нордгейма для розрахунку густини автоемісійного струму напівпровідників .
2.1.1. Аналіз двозонної автоемісії кремнієвого мікрокатода . 2.2. Розрахунок напруженості електростатичного поля з врахуванням потенціалів і геометрії системи катод-анод
2.2.1. Розрахунок потенціалів і напруженості електростатичного поля методом скінчених різниць
2.2.2. Деталізація потенціалів і напруженості електростатичного поля з використанням інтерполяції Лапласа .
2.3. Аналіз залежності локального підсилення поля та автоемісійних струмів від радіусів верхівок та геометричної нерівності поверхні
2.4. Розрахунок траєкторій руху заряджених частинок у вакуумному проміжку мікрокатода
2.5. Визначення теплового навантаження мікрокатода . 2.6. Аналіз експозиції фоторезисту автоемісійними мікрокатодами . 2.7. Висновки до другого
розділу .
РОЗДІЛ 3. МОДЕЛЮВАННЯ КНІ МОН-ТРАНЗИСТОРІВ ТА СХЕМИ КЕРУВАННЯ МІКРОКАТОДА .
3.1. Стабілізація автоемісійного струму кремнієвого мікрокатода за допомогою КНІ МОН-транзистора
3.2. Моделювання КНІ МОН-транзисторів 3.2.1. Аналітична MOS модель МОН-транзистора 3.2.2. EKV модель МОН-транзистора 3.3. Моделювання високовольтного КНІ МОН-транзистора інтегрованого з мікрокатодом .
3.4. Розробка і моделювання схеми керування автоемісійного мікрокатоду .
3.5. Моделювання низьковольтних КНІ МОН-транзисторів схем керування та масштабування їх топології
3.6. Висновки до третього
розділу
РОЗДІЛ 4. ОБРОБКА ТОПОЛОГІЧНОЇ ІНФОРМАЦІЇ, СПОСОБИ ВИГОТОВЛЕННЯ І ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ВИМІРЮВАННЯ
4.1. Структура системи передачі і перетворення топологічної інформації
4.2. Способи формування елементів субмікронних розмірів та локальних тривимірних КНІ-структур.
4.2.1. Формування елементів субмікронних розмірів методом подвійної фотолітографії .
4.2.2. Спосіб формування локальних тривимірних КНІ-структур.
4.2.3. Ключовий елемент на бар'єрах Шотткі4.2.4. Контакти на КНІ-структурах.4.3. Спосіб виготовлення двоелектродного кремнієвого автоемісійного мікрокатода
4.4. Топологія тестових структур і схема керування мікрокатода .4.5. Експериментальні вимірювання характеристик тестових структур КНІ МОН-транзисторів
4.6. Висновки до четвертого
розділу ВИСНОВКИ.ДОДАТКИ Додаток А. Уточнення роботи виходу із зони провідності Додаток Б. Апроксимація математичних функцій v(y), t(y) Б.1. MatLab програма аналітичного розв'язку функцій .Б.2. Порівняння табличних і розрахункових значень функцій Додаток В. Автоемісійні характеристики кремнієвого мікрокатода .В.1. Схема експериментальних вимірюваньB.2. Експериментальна та розрахункові емісійні характеристики Додаток Д. MatLab програма аналітичної довгоканальної MOS моделі МОН-транзистора
Додаток Ж. Компактна EKV модель МОН-транзистора (версія 2.)Ж.1. Параметри EKV моделі МОН-транзистораЖ.2. MatLab программа EKV моделі МОН-транзистора .Додаток З. Правила проектування топології для КНІ КМОН-технології.Додаток К. Топологія матриць мікрокатодів розміром ?Додаток Л. Тестові структури . Додаток М. Документи про використання отриманих науково-практичних результатів .
СПИСОК
- Київ+380960830922