Содержание
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ…………
Введение……………………………………………………………………….
РАЗДЕЛ 1. (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)………………………………………
1.1. Строение диселенида ниобия H-NbSe……………………………
1.2. Переход в состояние волн зарядовой плотности…………………
1.2.1. Дифракция……………………………………………………
1.2.2. Магнитная восприимчивость……………………………….
1.3. Влияние одноосного давления на температуры сверхпроводящего и ВЗП
переходов диселенида ниобия……………………………….
Постановка задачи……………………………………………………….
РАЗДЕЛ 2. Методика эксперимента………………………………….
2.1. Образцы……………………………………………………………….
2.2. Дифракционные исследования при низких температурах……….
2.2.1. Рентгеновская дифрактометрия ……………………………
2.2.2. Упругое рассеяние нейтронов………………………………
2.2.3. Программное обеспечение………………………………….
2.2.4. Электронография…………………………………………….
2.3. Низкотемпературная дилатометрия……………………………….
2.4. Калориметрические исследования…………………………………
2.5. Низкотемпературные магнитные измерения……………………….
2.6. Электронная микроскопия………………………………………….
Краткие выводы………………………………………………………….
РАЗДЕЛ 3. Структурные исследования изменений в H-NbSe под воздействием
внешних факторов (облучение, температура)……
3.1. Результаты рентгеновских исследований H-NbSe в области ВЗП –
перехода…………………………………………………………………….
3.2. О характере рассеяния широкополосного рентгеновского излучения в
низкотемпературной фазе
H-NbSe2.
3.3. Сравнение с результатами нейтронных исследований……………….
3.4. Влияние облучения быстрыми электронами………………………….
3.4.1. Результаты рентгеновских исследований ………………….
3.4.2. Результаты измерений дифракции электронов………………
3.4.3. Зависимость от дозы облучения. Пороговый эффект………
Краткие выводы………………………………………………………….
РАЗДЕЛ 4. Магнитная воспримчивость диселенида ниобия……………………………………………………………
4.1. Результаты измерений……………………………………………….
4.2. Магнитная анизотропия H-NbSe и влияние облучения быстрыми электронами в
области ВЗП перехода……………………………
4.3. Намагниченность диселенида ниобия в области СП перехода….
Краткие выводы…………………………………………………………
РАЗДЕЛ 5. ТЕПЛОЕМКОСТЬ, ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ И ПРОИЗВОДНАЯ КРИТИЧЕСКОЙ
ТЕМПЕРАТУРЫ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ H-NbSe ПО ДАВЛЕНИЮ ПРИ НИЗКИХ
ТЕМПЕРАТУРАХ………………………………………………………………
5.1. Результаты измерений……………………………………………….
5.1.1. Температурные зависимости теплоемкости и теплового расширения
H-NbSe………………………………………
5.1.2. Зависимости от магнитного поля…………………………
5.1.3. Сверхпроводящий переход………………………………
5.2. Определение производных критических температур по
давлению……………………………………………………………
5.2.1. Сверхпроводящий переход………………………………….
5.2.2. Переход в состояние с ВЗП…………………………………
Краткие выводы…………………………………………………….
ВЫВОДЫ……………………………………………………………………….
Список
- Київ+380960830922