Ви є тут

Анізотропія електротранспорту, надлишкова провідність і структурна релаксація в ВТНП-монокристалах системи 1-2-3

Автор: 
Гулатіс Іоанніс
Тип роботи: 
Дис. канд. наук
Рік: 
2009
Артикул:
0409U005742
129 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
РАЗДЕЛ 1. НОРМАЛЬНАЯ И ИЗБЫТОЧНАЯ ПАРАПРОВОДИМОСТЬ ВТСП-СОЕДИНЕНИЙ ReBaCuO-д
(Re=Y ЛИБО ДРУГОЙ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЙ ИОН) С РАЗЛИЧНОЙ МОРФОЛОГИЕЙ ДЕФЕКТНОЙ
СТРУКТУРЫ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР) . . . . . . . . . . .
1.1. Кристаллическая структура, дефекты и электротранспорт в ВТСП-системе
на основе иттрия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.1. Кристаллическая структура соединения YBaCuO-д . . . . . . . .
1.1.2. Структурные дефекты в соединении YBaCuO-д. . . . . . . . . . .
1.1.3. Влияние дефектов на транспортные свойства сверхпроводника YBaCuO-д в
нормальном состоянии. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.4. Флуктуационная проводимость и D-D кроссовер в ВТСП
1.2. Псевдощелевое состояние в ВТСП-соединениях. . . . . . . . . . . . . . .
.
1.3. Некогерентный транспорт в системе . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . .
1.4. Перераспределение лабильного кислорода и эволюция резистивных
характеристик монокристаллов YBaCuO-д в процессе их термообработки при
низких температурах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Выводы
раздела: обоснование задач исследования . . . . . . . . . . . . . . .
.
РАЗДЕЛ 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ . . . . . . .
2.1. Рост ВТСП - монокристаллов системы и изготовление образцов для
резистивных исследований . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1. Методика выращивания беспримесных монокристаллов YBaCuO-d . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2. Приготовление образцов с различной степенью отклонения от стехиометрии и
их легирование алюминием. . . . . . . . . . . . . .
2.1.3. Топология двойниковых границ и их удаление из кристаллов . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.4. Нанесение электроконтактов и изготовление мостиков для резистивных
исследований . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.5. Структурные исследования монокристаллов . . . . . . . . . . . . .
2.2. Измерительные методики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 2.2.1. Методика измерения поперечного и продольного
электросопротивления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.2. Экспериментальная установка для измерения электро-сопротивления. . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3.
Установка для проведения резистивных измерений с изменяемой ориентацией
магнитного поля . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.4. Методика проведения
измерений при высоких гидроста-тических давлениях . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.4.1. Камера высокого давления до кбар . . . . . . . . . .
2.2.4.2. Определение величины давления в мультиплика-торе. . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.5. Методика определения энергии активации процесса релаксации
электросопротивления . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.6. Точность измерений и обработка экспериментальных данных. . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
РАЗДЕЛ 3. ДЕФЕКТНОСТЬ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ, ТОПОЛОГИЯ ПЛОСКОСТЕЙ
ДВОЙНИКОВАНИЯ И АНИЗОТРОПИЯ ПРОВОДИМОСТИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ReBaCuO-д
(Re=Y,Ho) В НОРМАЛЬНОМ (НЕСВЕРХПРОВОДЯЩЕМ) СОСТОЯНИИ. . . . . . . . .
3.1. Кристаллическая структура и морфология двойниковых границ монокристаллов
ReBaCuO-д (Re=Y, Но) с различной степенью отклонения от кислородной
стехиометрии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2. Поперечная проводимость и эффекты локализации в моно-кристаллах
НоBaCuO-д с различным содержанием кислорода. . .
3.3. Избыточная проводимость в базисной плоскости и температурная зависимость
псевдощели . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
Выводы
раздела. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
РАЗДЕЛ 4. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В НЕСТЕХИО-МЕТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛАХ
ReBaCuO-d (Re=Y, Ho) ПРИ ОТЖИГЕ И ВЫСОКОМ ДАВЛЕНИИ. . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1. Влияние отжига при комнатной температуре на критическую температуру
монокристаллов YВаСuзО-х с различным содержанием кислорода . . . .
4.2. Структурная релаксация, переход металл-диэлектрик и псевдощель в
монокристаллах НоBaCuO-д с дефицитом кислорода . . . . . . . .
4.3. «Истинный» и «релаксационный» эффекты давления в монокристаллах
YBaCuO-d с дефицитом кислорода. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . .
4.4. Индуцированное высоким давлением перераспределение лабильного кислорода и
релаксация критической температуры. . .
Выводы
раздела . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . .
РАЗДЕЛ 5. ВЛИЯНИЕ ДОПИРОВАНИЯ АЛЮМИНИЕМ НА СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОРЕЗИСТИВНЫЕ
СВОЙСТВА ВТСП СОЕДИНЕНИЙ СИСТЕМЫ 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . .
5.1. Структура и электрорезистивные свойства слабо допированных алюминием
монокристаллов YBaCu-zAlzO-д (z?0.) . . . . . . . . . . .
5.2. Влияние магнитного поля на парапроводимость в базисной плоскости
монокристаллов YBaCu-zAlzO-д . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3. Температурная зависимость псевдощели легированных алюминием монокристаллов
YBaCuO с заданной топологией плоских дефектов. . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Выводы
раздела . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
ВЫВОДЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . .
СПИСОК