Ви є тут

Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе

Автор: 
Матвеев Борис Анатольевич
Тип роботи: 
докторская
Рік: 
2010
Кількість сторінок: 
258
Артикул:
137579
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание Стр.
Введение.
Общая характеристика работы.
Глава 1. Приборы отрицательной люминесценции, лазеры, свето и фотодиоды в средней ИК области спектра обзор.
1.1 Источники спонтанного и стимулированного излучения на основе арсснида индия.
1.1.1. Светодиоды.
1.1.2. Лазеры. ,
1.2 Фотодиоды и источники отрицательной люминесценции.
1.2.1. Магнитоконцентрационные источники ОЛ.
1.2.2. Отрицательная люминесценция в диодных структурах.
1.2.3 Фотодиоды.
Глава 2. Структурные, электрические и оптические свойства
эпитаксиальных структур н слоев из 1пАв и его твердых растворов.
2.1. Дислокации в градиентных структурах с конечной толщиной подложки.
2.2. Дислокации и остаточные напряжения в двойных гетероструктурах
йЮаАбЗЬЛпАбБЬР, ГпАяЛпАзБЬР.
2.3 Люминесцентные свойства градиентных структур.
2.4 .Получение и свойства слоев ТпСаАвБЬ. Глава 3. Положительная и отрицательная люминесценция в узкозонных 2 диодных структурах А3В5.
3.1 Диоды на основе структур с гомо рп переходом в 1пА58ЬР.
3.1.1 Предварительные замечания.
3.1.2 Экспериментальные результаты и их обсуждение.
3.1.2.1 Диоды с активным слоем из 1пА8Ьо.
3.1.2.2 Диоды с активным слоем из ТпАлБЬом
3.1.2.3 Диоды с активным слоем из ЬгАхБЬо 2
3.1.2.4 Диоды с активным слоем из 1пЛь5ЬР
3.2 Диоды с рп переходом на гстсрограннце с 1пАз и с 1пА8Ь.
3.2.1. Предварительные замечания, образцы и методы исследования.
3.2.2. Диоды с мелкой мезой.
3.2.3. Диоды с глубокой мезой.
Глава 4. Стимулированное излучение в двойных гетероструктурах на основе
I.
4.1. Предварительные замечания.
4.2. Распределение излучения в дальнем поле.
4.3. Коэффициент усиления и внутренние потери.
4.4. Спектральные характеристики.
4.5 Мощные лазеры.
Глава 5. Оптоэлектронные диодные пары источникприемник.
5.1 Поверхностно облучаемые фотодиоды.
5.1.1 Фотодиоды II .
5.1.2 ФД на основе твердых растворов I.
5.2 ФД I , облучаемые через подложку.
5.3 Светодиоды и фотонриемникн для детектирования газов и жидкостей.
5.3.1. Светоизлучающая диодная линейка Л3.7 мкм на основе I.
5.3.2. Оптоэлектронные пары светодиод фотодиод
5.3.3. Применение СД в ИК оптикоакустической спектроскопии.
5.4 Диодная лазерная спектроскопия с помощью лазеров на основе 2 I.
Заключение.
Литература