- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Атомно-силовая микроскопия заращенных Si,Ge наноразмерных островков : диагностика и зарядовая нанолитография
Тип роботи:
диагностика и зарядовая нанолитография
Рік:
2007
Кількість сторінок:
163
Артикул:
7250 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP
- Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
- Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
- Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
- Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
- Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
- Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5
- Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d -элементами
- Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
- Закономерности, связывающие электрические, тепловые и механические свойства твердых тел