Ви є тут

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света

Автор: 

Образцов Андрей Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2001

Кількість сторінок: 

121

Артикул:

1000313667

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Разработка метода молекулярного наслаивания для синтеза сверхтонких пленок халькогенидов металлов
• Исследование и разработка технологии создания микромодулей бесконтактной идентификации для электронных документов
• Электрическое сопротивление нитевидных кристаллов кремния, выращенных по механизму ПЖК в открытой системе
• Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумного электронно-зондового и ионно-лучевого оборудования микроэлектроники
• Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
• Механизмы испарения и поглощения сурьмы из растворов-расплавов галлия и индия
• Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
• Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
• Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра
• Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства