Ви є тут

Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур

Автор: 

Дьячков Сергей Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

150

Артикул:

1000301822

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем
• Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
• Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
• Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
• Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
• Влияние термообработки и легирования на свойства монокристаллического кремния
• Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
• Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
• Разработка нанокомпозитных материалов на основе синтетических и природных полимеров и органических производных фуллерена C60 для электронной техники
• Разработка автоматизированного элионного технологического оборудования для производства изделий микрофотоэлектроники