СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Свойства соединений СаАБ, ЬгАэ, ААб и твердых растворов на их основе, учитывающиеся при производстве приборов оптоэлектроники
1.2. МОСгидридный метод получения эпитаксиальных слоев.
1.2.1. Исходные материалы.
1.2.2. Аппаратура для проведения процесса
1.2.3. Оптимизация процесса МОСгидридной эпитаксии с использованием математического моделирования
1.2.4. Характеристики эпитаксиальных слоев, получаемых на зарубежных и
отечественных установках.
1.3. Выводы по главе 1 и постановка задачи исследования
Глава 2. Технологический процесс и экспериментальная установка.
2.1. Режимы получения эпитаксиальных слоев соединений СаАэ, ААб, пАб и твердых растворов на их основе.
2.2. Характеристика экспериментальной установки
2.3. Методы контроля качества выпускаемых эпитаксиальных композиций
2.4. Выводы по главе 2.
Глава 3. Математическая модель процесса ПФЭХО по МОСгидридной технологии бинарных соединений А3В5 и твердых растворов на их основе
3.1. Математическое моделирование технологического процесса
3.2. Термодинамическая модель процесса МОСгидридной эпитаксии.
3.2.1. Расчет равновесного состава фаз.
3.2.2. Численное моделирование термодинамики процесса
3.2.3. Расчет параметра взаимодействия в твердых растворах.
.
.
3 .2.4. Расчет возможности гомогенного зародышеобразования.
3.3. Модель кинетики процесса
3.3.1. Трехмерная модель процесса осаждения эпитаксиальных слоев в прямоугольном реакторе горизонтального типа
3.3.2. Интерфейс трехмерной модели.
3.3.3. Двухмерная модель процесса осаждения эпитаксиальных слоев.
3.3.4. Интерфейс двухмерной модели.
3.4. Базы данных свойств соединений используемых в расчете.
3.5. Разработка модели роста слоев на вращающемся пьедестале.
3.6. Выводы по главе 3.
Глава 4. Компьютерное исследование процессов эпитаксии СаАя, АЦСахАв, пАв, ПхСтахАз. Адекватность модели.
4.1. Расчет равновесного состава фаз в процессе эпитаксии
4.1.1. Система ОаС2Н5зА5НзН2.
4.1.2. Система ОаС2Н5зА1СНззА5НзН2
4.1.3. Система пСН3зСаС2Н5зА5НзН2.
4.2. Выбор соединения источника элемента третей группы.
4.3. Исследование кинетики процесса эпитаксии и адекватность модели
4.3.1. Трехмерная модель скоростного поля парогазовой смеси в зоне роста.
4.3.2. Трехмерная модель температурного поля в зоне роста на примере системы ОаС2Н5зА5НзН2
4.3.3. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев ваАБ
4.3.4. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных
слоев А1хОа.хА5.
4.3.5. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных
слоев 1пхСа.хА8.
4.4. Выводы по главе 4
Общие выводы
Список литературных источников
- Київ+380960830922