- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования
Тип роботи:
докторская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
156
Артикул:
233061 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Методы моделирования СБИС с использованием полунатурной модели МОП-транзистора
- Разработка методов построения и моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС
- Электронный транспорт и нелинейные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах и сверхрешетках
- Разработка и исследование объемных ВТСП изделий из иттриевой керамики и электронных устройств на их основе
- Рентгенодифракционное исследование приповерхностных слоев кремния и гетероструктур A III B V с градиентом деформации
- Исследование и разработка методов моделирования для управления технологическими процессами компьютерно-интегрированного производства СБИС
- Исследование хемосорбционного взаимодействия при формировании приповерхностных легированных слоев в полупроводниках и пленок на их поверхности в технологических процессах диффузии и осаждения
- Фотоиндуцированные и релаксационные процессы в пленках оксида титана
- Электрофизические свойства и природа локализованных состояний в гетеропереходах на основе a-Si
- Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи