Ви є тут

Исследование возможности создания мозаичных фотоприемников без потерь информации в изображении

Автор: 
Новоселов Андрей Рудольфович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2011
Кількість сторінок: 
171
Артикул:
232999
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Оглавление
Список условных обозначений и сокращений
Введение
1 Обзор и анализ литературы
1.1 Современное состояние производства мозаичных фотопримных устройств
1.1.1 Конфигурация мозаичных фотопримных устройств
1.1.2 Особенности применяемых технологий разделения пластин на чипы.
1.2 Выбор лазерного источника для скрайбирования пластин с кремниевыми мультиплексорами и фотопримниками.
1.3 Изменение физических свойств полупроводниковых материалов при воздействии лазерного излучения
1.3.1 Характер процессов при плотности энергии, превышающей порог парообразования в материале
1.3.2 Характер процессов при плотности энергии, превышающей порог расплава поверхности материала.
1.3.3 Характер процессов при плотности энергии, недостаточной для плавления поверхности материала
1.4 Изменение физических свойств полупроводниковых материалов в зоне повреждения.
1.5 Фокусирование лазерного излучения
Выводы к главе.
2 Формирование зон повреждения в полупроводниковых материалах при лазерном скрайбировании
2.1 Методика измерения ширины зоны повреждения.
з
Формирование зон повреждения в кремниевых мультиплексорах и
фотопримниках .
Модель взаимодействия лазерного излучения с
полупроводниковыми материалами
Раскол пластин с чипами и гибридизация фотопримных устройств
Выводы к главе
Режимы лазерного скрайбирования пластин с кремниевыми
мультиплексорами и фотопримииками
Оптимизация оптической системы установок лазерного
скрайбирования.
Формирование канавки при однопроходном и многопроходном
режиме лазерного скрайбирования.
Формирование канавки в однопроходном режиме лазерного
скрайбирования.
Формирование канавки в многопроходном режиме лазерного
скрайбирования.
Однопроходный режим лазерного скрайбирования пластин с
кремниевыми мультиплексорами
Многопроходный режим лазерного скрайбирования пластин с
фотопримниками
Стабильность электрических параметров фотопримников после
скрайбирования.
Выводы к главе
Методики скрайбирования пластин с кремниевыми мультиплексорами и фотопримниками. Практическое применение Методики формирования канавки в пластинах с кремниевыми
мультиплексорами.
Методики формирования канавки в пластинах с фотопримниками
Выводы к главе
Заключение
Список использованной литературы