Содержание
Введение
Обзор литературы. Резонансные состояния доноров и акцепторов в объемных полупроводниках и в гстсроструктурах теоретические и экспериментальные исследования
1. Общие сведения о резонансных состояниях. Первые работы.
2. Резонансные состояния доноров в объмных полупроводниках и в гстерострук
турах.
3. Резонансные состояния акцепторов и объмных полупроводниках и в нчоро
структурах
4. Резонансное рассеяние носителей в полупроводниках .
Глава 1. Теория резонанса Фапо в спектрах примесного
возбуждения рСаАй.
1.1. Результаты обобщения теории Фапо для акцепторов
1.2. Вычисление волновых функций акцепторных состояний
1.3. Вычисление матричных элементов операторов взаимодействия с фонолами и
с излучением
1.4. Вычисление вероятности фотоионизации. Сопоставление теории и эксперимент
1.5. Выводы но первой главе.
Глава 2. Расчт параметров резонанса Фаио в спектре примесной фотопроводимости полупроводников, легированных донорами
2.1. Параметры резонанса Фапо без учета химического сдвига .
2.2. Влияние химического сдвига на параметры Фапо.
2.3. Выводы по второй главе.
Глава 3. Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в объемных полярных полупроводниках и в гстсроструктурах с квантовыми ямами
3.1. Резонансное рассеяние на мелких донорах в СаЛя и 1пР
3.2. Резонансное рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах I н
3.3. Выводы но третьей главе.
Глава 4. Спектральные особенности примесной фотопроводимости л и I при энергиях, кратных энергии оптического фопона.
4.1. Экспериментальные результаты
4.2. Анализ особенностей вблизи 3,4,5 в спектрах фотопроводимост и
4.3. Анализ особенностей вблизи 2гыдо в спектрах фотопроводимости и п1пР.
4.4. Выводы по четвртой главе
Заключение
Список публикаций автора по теме диссертации .
Цитированная литература.
Приложение А. Радиальные волновые функции дырок для случая свободного движения в сферическом приближении.
Приложение Б. Вычисление потенциала мелкого донора в квантовой яме при учте экранировки в приближении ТомасаФерми
Введение
Актуальность