- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
1005425439 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства
- Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений
- Исследование закономерностей структурного роста и люминесцентных свойств слоев пористого кремния
- Теоретический анализ строения и физических свойств углеродных нанокластеров с позиций разработки на их основе наноустройств различного назначения
- Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами
- Электрофизические свойства и природа локализованных состояний в гетеропереходах на основе a-Si
- Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами
- Методы моделирования СБИС с использованием полунатурной модели МОП-транзистора
- Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием
- Модификация процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам силовых полупроводниковых приборов