- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
1005425439 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах
- Электрофизические свойства плёночных фотопроводящих структур на основе CdS со свинцовосодержащим органическим монослойным покрытием
- Кинетические явления в структурах на основе графена и его модификаций
- Термостимулированные процессы на глубоких уровнях в полупроводниках и гетероструктурах на их основе
- Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN
- Мощные лазеры на свободных электронах : Вопросы теории и применений
- Исследование оптических свойств зонных пластинок Френеля из кремния для осевой геометрии
- Численное моделирование кремниевых многослойных структур и разработка пакета программ для проектирования диодов и тиристоров
- Исследование и разработка методов и средств проектирования микросистем высокой надежности
- Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления силовых интегральных микросхем на основе КМОП транзисторов